在String中,cell是串行方式连接的,一般32或64个一组,两端分别通过MSL连接到source line,MDL连接到bit line,并分别由晶体管控制开断。每个string和相邻的string(图中是上下方向)共用bit line。control gate是通过wordlines连接在一起。 Page是一个逻辑上的概念,page是由同一根wordline上的cell组成的。一根wordline上...
NAND architecture Flash memory strings, memory arrays, and memory devices are described that utilize continuous channel enhancement and depletion mode floating gate memory cells. Depletion mode floating gate memory cells allow for increased cell current through lower channel r ds resistance and decreased ...
2D NAND Structure: 侧视图及俯视图 03魔幻现实 近年来,一直活在论文与新闻里的PCM(X-Point)/MRAM/ReRAM等新型存储器已陆续或即将进入大规模量产(目前唯一能量产X-point只有Intel,技术实力不容置疑 不过这些新型存储器都有各自的应用场合,暂时并没有动摇DDR 和Flash 的市场根基。但随着第5代3D NAND(128层)进入...
^A 512Gb 3b/cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memoryhttps://ieeexplore.ieee.org/document/7870331 ^abInherent issues and challenges of program disturbance of 3D NAND flash cellhttps://ieeexplore.ieee.org/document/6213659/ ^abDevice considerations for high density and highly reliable 3D NAND ...
在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSI)上,Toshiba第一次提出了3D NAND的概念,命名为BiCS(bit cost scalable),指出降低单位bit成本是NAND Flash未来的发展方向。不过Toshiba只是提出了这个概念,并没有量产。而三星在2013年直接量产了3D NAND,命名为V-NAND。第一代V-NAND作为全球首款量产的3D NAND,只有24层...
当数据量大于128MB时,NANDFLASH或者SD(TF)卡是常见的选择,但考虑到NANDFLASH会有坏块的问题,编写存储软件时需要考虑磨损均衡已经坏块管理的问题,想要做的非常可靠并不容易。 2022-09-20 14:17:32 盈鹏飞科技EP9315嵌入式主板介绍 产品特性: 1.ARM9 处理器,200MHZ 2.64MBSDRAM,32MBNORFLASH/128MBNANDFLASH3.内...
不同于机械硬盘的磁头直接进行数据读写,SSD或者其它以Flash作为储存介质的硬盘无法直接进行数据读写操作。解决这个问题的办法,就是FTL层管理几张逻辑映射表做一个中间转换,Host给定一个逻辑地址,FTL根据这个逻辑地址在逻辑映射表上建立映射关系,连接到Flash上的物理地址。一般来说,FTL将逻辑地址处理后,建立的映射关系...
It is confirmed that each bit in a NAND cell is able to be programmed selectively. This high performance NAND structure cell is applicable to high density nonvolatile memories as large as 8M bit EPROM and Flash-EEPROM or beyond.关键词: Dielectrics EPROM Electrodes Electrons Nonvolatile memory ...
首先,3D NAND构建的基础是下方图示的Cell,3D NAND的Cell和平面NAND的Cell完全不同。从普通的MOSFET晶体管变成了一个不知道怎么形容的结构…… Control Gate(控制栅极)包裹着中间的p-Si pillar(多晶硅支柱)。然后把这个结构垂直的堆叠起来(串起来),就形成了3D NAND的一个String。当然也有一些人更偏爱另外一个解释:...
United States Patent US7457156 Note: If you have problems viewing the PDF, please make sure you have the latest version ofAdobe Acrobat. Back to full text