目前,由于沟道堆叠结构中的上述问题,大多数商业化的3D NAND架构使用栅极堆叠结构。 图2:(a) 栅极堆叠(垂直沟道)和(b)沟道堆叠(垂直栅极)3D NAND架构, 图3a、b分别比较了基于栅极堆叠结构和栅极第一制造方法的BiCS和PBiCSFlash结构的横截面图。BiCS闪存结构是第一个提出的具有高密度和每比特成本的3D NAND架构。...
(图片出自:Yan Li, Western Digital Corporation, “3D NAND Architecture and its Application”, IMW2020, Tutorials PART 1.) 1987年在IEDM上公布的NAND的细微化为1um。此次的发言者应该是NAND的发明人—舛冈富士雄先生(笔者推测),在次年的1988年,以1um生产出了4M bit的NAND,1992年以0.7um发布了16M bit。...
PBiCSFlash具有U形串结构,而不是直线形状,在两个相邻闸门之间的底部形成管道连接(PC)。这种结构差异降低了SL电阻,因为它可以被第一和第二金属层访问,类似于传统的平面NAND闪存阵列。在可靠性方面,由于在制造过程中对捕获层的损伤较小,PBiCSFlash具有更好的保持特性,金属布线的低电阻和SL处陡峭的受控扩散特性使PBiC...
Shibata先生的演讲之后,WD的Yan Li先生做了题目为《3D NAND Architecture and its Application》的演讲,其中提到31年来NAND的细微化全过程。如下图2所示。 图2:NAND存储密度增加的趋势 1987年在IEDM上公布的NAND的细微化为1um。此次的发言者应该是NAND的发明人—舛冈富士雄先生(笔者推测),在次年的1988年,以1um生...
FLASH memoryA flash memory is a non-volatile memory that has a large memory window, high cell density, and reliable switching characteristics and can be used as a synaptic device in a neuromorphic system based on 3D NAND flash architecture. We fabricated a TiN/Al2O3...
如SRAM响应时间通常在纳秒级，DRAM则一般为100纳秒量级，NAND Flash更是高达100微秒级，当数据在这三级存储间传输时，后级的响应时间及传输带宽都将拖累整体的性能，形成“存储墙”。IO墙则产生于外部存储中，因为数据量过于庞大，内存里放不下就需要借助外部存储，并用网络IO来访问数据。IO方式的访问会使得访问速度...
如图所示,当前的主流计算系统所使用的数据处理方案,依赖于数据存储与数据处理分离的体系结构(冯诺依曼架构),为了满足速度和容量的需求,现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。 常见的存储系统架构及存储墙 (全球半导体观察制图)...
如图所示,当前的主流计算系统所使用的数据处理方案,依赖于数据存储与数据处理分离的体系结构(冯诺依曼架构),为了满足速度和容量的需求,现代计算系统通常采取高速缓存(SRAM)、主存(DRAM)、外部存储(NAND Flash)的三级存储结构。 常见的存储系统架构及存储墙(全球半导体观察制图)...
Last year, YMTC, with its Xtacking 4.0 3D NAND flash architecture, was the first company to achieve a 200+ layer count in the 3D NAND space. The company's product, X4-9070, a 232-layer TLC 3D NAND, uses multiple silicon wafers, hence growing its massive consumption of silicon that is...
3D NAND Architecture 3D NAND从架构上区分,有CTF(charge trap flash,电荷撷取闪存)和FG(Floating Gate,浮动栅极)两种技术路线。我不是这方面的专家,不过从一直坚持FG的Intel退出来看,未来应该还是CTF的发展更好些。 3D NAND Buildings,Height 如上图,同样是128层3D NAND,Samsung和Hynix的实际高度(厚度)还不太一...