易失性存储器主要包括DRAM和SRAM，其中SRAM速度更快但成本也更高，因此主存储器通常采用DRAM，而高速缓存则多选用SRAM。另一方面，非易失性存储器则涵盖ROM和Flash两大类，它们常被用作硬盘存储。在Flash领域，又进一步细分为NOR Flash和NAND Flash，当前市场上的硬盘多采用NAND Flash技术，特别是SSD硬盘，它们已逐渐...
eMMC是将NAND Flash芯片和控制芯片都封装在一起,eMCP则是eMMC和LPDDR封装在一起。 对于手机厂商而言,在存储产业陷入缺货潮的关键时期,既要保证手机出货所需的MobileDRAM,又要保证eMMC货源,库存把控的难度相当大,所以eMCP自然成为大部分中低端手机首选方案。 uMCP是顺应UFS发展的趋势,满足5G手机的需求。 高端智能型手机...
RAM主要分为两大类：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。SRAM因其极快的读写速度被广泛应用于CPU的一级缓冲cache，但其成本高昂，难以大规模普及。相比之下，DRAM由于其较高的性价比，成为计算机内存的主要选择。Flash闪存同样分为两大类：NAND和NOR Flash。Flash闪存是一种非易失性存储器，能够在块级...
SRAM 芯片和 DRAM 芯片不太一样,不需要分成行地址和列地址分别选择,而且 SRAM 的设计相对来说又更加灵活,一个地址对应的储存单元数量可以是 8 bit、10 bit,或 32 bit、40 bit、64 bit 都行。 另外,晶体管的开关速度远比电容充电放电的速度还快,所以相对于 DRAM、SRAM 的读写速度比 DRAM 快很多。 然而SRAM...
它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据线都是共享的,需要通过软件控制读取时序,因此不能像NOR Flash或内存那样进行随机访问。这意味着NAND Flash不能直接用作启动设备。然而,NAND Flash具有较高的存储密度和更长的寿命,通常用于存储大量数据,如文件系统和操作系统。NOR Flash有自己的地址线和数据...
这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)与NAND是两种不同类型的半导体存储器,它们之间存在显著的区别。以下是对DRAM与NAND的详细比较: 一、基本特性 DRAM: 全称:动态随机存取存储器。 工作原理:利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于电容存在漏电现象,需要周期性地进行刷新操作以保持数据。
易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory)是两大类存储器,它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。 易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电...