晶体管类型 1N-ChannelPowerMOSFET 正向跨导-最小值 2.6S 下降时间 61ns 上升时间 47ns 典型关闭延迟时间 45ns 典型接通延迟时间 24ns 单位重量 7g 可售卖地 全国 型号 STFW3N150 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: STFW3N150 批号: 2021 数量: 20000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: ...
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N 沟道功率 MOSFET 电压等级 N 沟道沟槽栅功率 MOSFET N 沟道功率 MOSFET 应用 这一包含 OptiMOS™、StrongIRFET™ 和 CoolMOS™ 解决方案的广泛产品组合可减少占板面积,提高额定电流并优化热性能,适用于各类工业及汽车应用。 工业应用 汽车应用
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产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SO-8 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 150 V Id-连续漏极电流 20 A Rds On-漏源导通电阻 56.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Vgs th-栅源极阈值电压 4 V Qg-栅极电荷 4.9 nC 最小工作温度...
商标名: PowerTrench 高度: 16.3 mm 长度: 10.67 mm 系列: FDP8441 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.7 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 下降时间: 17.9 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 24 ns 工厂包装数量: 400 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 75 ns 典型接通延迟时间: 23 ns 单位重量: 1....
晶体管类型 1N-ChannelPowerMOSFET 封装 原厂封装 批号 21+ 数量 9000 制造商 TexasInstruments 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/箱体 WSON-6 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 25V Id-连续漏极电流 5A RdsOn-漏源导通电阻 24mOhms Vgs-栅极-...
N-沟道功率MOS管N-CHANNELPOWERMOSFET-深爱半导体股份.PDF,深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification SShheennzzhheenn SSII SSeemmiiccoonndduucct
ON 场效应管 NTMFS4C10NT1G MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95m 更新时间:2024年08月01日 家装建材,一站式购齐,点击查看更多优质好物! 价格 ￥1.10 起订量 1个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 数量 获取底价 商家响应极速,可发送询盘 查看电话 ...
Modular Half-Bridge Power PCB with OptiMOS™ Power MOSFETs, for individual or paralleled MOSFET applications Supported Product Families OptiMOS™ 5 Bill of material (BOM) IPB044N15N5 电路板&设计 KIT_LGPWR_BOM003 Status: active Infineon Read MoreBuy Online Modular Half-Bridge Power PCB with Op...