N-channel enhancement mode mosfet 青云英语翻译 请在下面的文本框内输入文字,然后点击开始翻译按钮进行翻译,如果您看不到结果,请重新翻译! 翻译结果1翻译结果2翻译结果3翻译结果4翻译结果5 翻译结果1复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 n沟道增强型MOSFET 翻译结果2复制译文编辑译文朗读译文返回顶部...
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET --NCE2060K NCE2060K NCE0115K NCE2302 NCE3010S NCE30P12S NCE3050K NCE3080IA NCE3095K NCE3400 NCE3416 NCE4060K NCE4080K NCE6003 NCE6005AR NCE6075K NCE6080K NCE65T180F NCE65T360 NCE70T540F等NCE新洁能一级代理全新原装现货,可售样,可提供技术支持...
20Ver.1Page3SPN9971N-ChannelEnhancementModeMOSFETELECTRICALCHARACTERISTICS(TA=25Unlessotherwisenoted)℃ParameterSymbolConditionsMin.TypMax.UnitStaticDrain-SourceBreakdownVoltageV(BR)DSSVGS=0V,ID=250uA60GateThresholdVoltageVGS(th)VDS=VGS,ID=250uA0.82.0VGateLeakageCurrentIGSSVDS=0V,VGS=±20V±100nAVDS=...
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 青云英语翻译 请在下面的文本框内输入文字,然后点击开始翻译按钮进行翻译,如果您看不到结果,请重新翻译! 翻译结果1翻译结果2翻译结果3翻译结果4翻译结果5 翻译结果1复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 N沟道增强型功率MOSFET...
首先说MOSFET管的作用,可以作为高阻输入端的放大级,也可以作为大电流驱动的功率级,根据不同应用,使用的管子类型参数也不一样。N-Channel意为N沟道,与NPN三极管的极性接法类似;相反的,P沟道的管子就像PNP三极管了。Enhancement Mode意为增强型,栅极悬空时默认的,管子为不导通,需要在栅极加上与N或...
型号 HY1503C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/45A 深圳市汇友迪科技是华羿微-Huayi原厂指定代理商 产品简介:HY1503C2Single N-Channel Enhancement ModeMOSFET此器件: 30V/45A RDS(ON)=6.5 mΩ(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)=9.5 mΩ(typ.)@VGS = 4.5VPDFN8L(5x6)封装产品,该器件适用于:DC-DC...
ME60N03 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 30V/60A 价格:0.57元 最小采购量:10 主营产品:集成电路(IC),国内IC全代理,方案设计 供应商:深圳市天玖隆科技有限公司 所在地:深圳市福田区鼎城国际大厦816.南山科技园南区高新南一道013号赋安科技大厦三层...
2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 说明书 2N7002T Document number: DS30301 Rev. 15 - 2 1 of 5 www.diodes.com August 2018 © Diodes Incorporated Product Summary Description and Applications This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON...
N-Channel Enhancement Mode MOSFET - Sync Power:N沟道增强型MOSFET同步功率功率,N,帮助,Mode,场效应管,Power,MODE,POWER,N 沟道,MOS 文档格式: .pdf 文档大小: 285.72K 文档页数: 8页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: ...
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N 沟道增强型 MOS 管 HM3416E VDS= 20 ID=4.2 A RDS(ON), Vgs @ 1.8V, Ids @ 3A = 36mΩ RDS(ON), Vgs @ 2.5V, Ids @ 3.8 A = 28mΩ RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 4.2 A = 24mΩ ESD Protected:2000V Features 特性 Advanced trench...