产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 400 mA Rds On-漏源导通电阻 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 600 mV Qg-栅极电荷 520...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 SOT-23-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Id-连续漏极电流 5.1 A Rds On-漏源导通电阻 36 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 20 V Qg-栅极电荷 9 nC 最小工作温度 - 55 C 最大工作温度 + 150 C Pd-功率耗散 1.04 W...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TSSOP-6 晶体管极性 N-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 20 V Id-连续漏极电流 870 mA Rds On-漏源导通电阻 340 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 450 mV Qg-栅极电荷 890...
产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 TSSOP-6 晶体管极性 N-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 30 V Id-连续漏极电流 350 mA Rds On-漏源导通电阻 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压 - 8 V, + 8 V Vgs th-栅源极阈值电压 600 mV Qg-栅极电荷 680 ...
产品类型 MOSFET 上升时间 6 ns 工厂包装数量 3000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 11 ns 典型接通延迟时间 6 ns 零件号别名 934068847215 单位重量 8 mg 可售卖地 全国 型号 PMV90ENER 技术参数 品牌: Nexperia 型号: PMV90ENER 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 150000 制造商: Nexperia 产品种类: MOSFET...
百度爱采购为您找到VISHAY SI1302DL-T1-E3 MOSFET 30V N-CH TRENCH等,品牌:VISHAY,批号:19/20+,封装:SOT-323-3 (SC-70),数量:3000,QQ:3005107615,制造商:Vishay,产品种类:MOSFET,RoHS:是,技术:Si,安装风格:SMD/SMT,封装 / 箱体:SC-70-3,晶体管极性:N-Channel,通道数量:1 Ch
商标名: PowerTrench 高度: 1.75 mm 长度: 4.9 mm 系列: FDS8813NZ 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 3.9 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值: 74 S 下降时间: 7 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 8 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 39 ns 典型接通延...
联系我们 品牌 ON/FSC 封装 SOT23-3 数量 15332 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 90C 最小电源电压 3V 最大电源电压 9V 长度 6.6mm 宽度 9.1mm 高度 2.1mm 可售卖地 全国 型号 FDN537N 深圳市哲航电子有限公司所有的价格均为参考价格,请亲爱的朋友们在...
商标名 PowerTrench 高度 1.75 mm 长度 4.9 mm 系列 FDS8878 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 3.9 mm 商标 ON Semiconductor / Fairchild 下降时间 18 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 29 ns 工厂包装数量 2500 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 9 ns 零件号别名 FDS8878_NL 单位重量 130...
商标名: PowerTrench 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 高度: 1.75 mm 长度: 4.9 mm 系列: FDS8880 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 3.9 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 下降时间: 15 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 27 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 典型关...