GMR的基本原理与电子自旋相关,注入电子的散射概率取决于注入电流中电子自旋方向和铁磁层磁化方向的相对方向,注入的电子自旋方向与铁磁层磁化方向平行,那么电子的散射概率就低,因此电阻也较低,反之,如果注入电子自旋方向反平行于铁磁层磁化方向,电子的散射概率就高,得到的电阻就较高。 今最普遍的STT-MRAM存储器内部组...
mram工作原理 1. MRAM基本结构与磁性隧道结(MTJ) - MRAM(磁阻随机存取存储器)的基本存储单元是磁性隧道结(MTJ)。MTJ由两层铁磁层和夹在它们中间的一层薄绝缘层(隧道势垒层)构成。 -其中一层铁磁层的磁化方向固定不变,称为参考层(Pinned Layer);另一层铁磁层的磁化方向可以改变,称为自由层(Free Layer)。
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似,自旋阀的工作机理如下。 1、自旋阀 电子作为电流的...
STT-MRAM工作原理及特点 电流流过磁性层时，电流将被极化，形成自旋极化电流。自旋电子将自旋动量传递给自由层的磁矩，使自旋磁性层的磁矩获得自旋动量后改变方向，这个过程称为自旋传输矩，因此，STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米...
MRAM的存储原理 MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据。当流经两金属线的...
磁随机存储器(Magnetic random access memory,MRAM)是一种利用读取磁阻大小为原理的新型非易失性(Non-Volatile)随机存储器之一(图1)。与其他存储技术相比(表1),MRAM在速度、面积、写入次数和功耗方面能够达到较好的折中,因此被业界认为是构建下一代非易失性缓存和主存...
工作原理 由一只三极管、一只磁隧道结（magnetic tunnel junction，MTJ）和若干连接线组成。MTJ 是一种多层薄膜结构，它由固定层、非磁性隔离层和自由层组成。其中，固定层较厚，磁性较强，磁矩不容易反转，而自由层较薄，磁性较弱，磁矩容易反转。三极管起到选址作用，三极管的漏极连接 MTJ 的一端（如固定层），当...
MRAM原理MRAM简介 MRAM(Magnetic Random Access Memory)是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器,它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1,只要外部磁场不改变,磁化的方向就不会变化。 MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高...