mram工作原理 1. MRAM基本结构与磁性隧道结(MTJ) - MRAM(磁阻随机存取存储器)的基本存储单元是磁性隧道结(MTJ)。MTJ由两层铁磁层和夹在它们中间的一层薄绝缘层(隧道势垒层)构成。 -其中一层铁磁层的磁化方向固定不变,称为参考层(Pinned Layer);另一层铁磁层的磁化方向可以改变,称为自由层(Free Layer)。
GMR的基本原理与电子自旋相关,注入电子的散射概率取决于注入电流中电子自旋方向和铁磁层磁化方向的相对方向,注入的电子自旋方向与铁磁层磁化方向平行,那么电子的散射概率就低,因此电阻也较低,反之,如果注入电子自旋方向反平行于铁磁层磁化方向,电子的散射概率就高,得到的电阻就较高。 今最普遍的STT-MRAM存储器内部组...
MRAM工作原理: 写入原理:位线和字线有电流流过时分别产生半选写信息磁场(即:位线、字线产生的磁场仅仅是自由层矫顽力的一半,单独的位线或字线都不能使存储单元中自由层的磁矩反转),且磁场相互正交。自由层的磁矩将会因受到来自位线和字线的半选写信息磁场的作用而发生反转,最终与固定层的磁矩呈平行或者反平行...
MRAM的存储原理 MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据。当流经两金属线的...
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以无限次地重复写入。专注于代理销售MRAM芯片等存储芯片供应商英尚微电子详细介绍关于MRAM的存储原理。MRAM单元的结构和目前硬盘驱动器中GMR读取头的自旋阀膜系结构相似,自旋阀的工作机理如下。
才能从它的磁阻大小判断已存入的信息是‘0’还是‘1'。读出原理看来简单,实际情况却相当复杂,说明如下...
STT-MRAM工作原理及特点 电流流过磁性层时，电流将被极化，形成自旋极化电流。自旋电子将自旋动量传递给自由层的磁矩，使自旋磁性层的磁矩获得自旋动量后改变方向，这个过程称为自旋传输矩，因此，STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米...
图2 MRAM工作原理示意图 1个MTJ和1个MOSFET（即1T1M）结构构成MRAM基本的存储单元，众多存储单元又组成存储阵列，一般的MRAM电路除存储阵列之外还有相应的外围电路。如图3所示的存储器外围电路主要包括灵敏放大器、译码电路、读/写控制电路等。与SRAM等存储器类似，灵敏放大器主要用来对位线信号进行放大。可见除了存储...