GMR 效应是指在磁性材料中,当磁场发生变化时,电阻会发生显著变化的现象。这一效应使得科学家们能够更加精确地检测磁性材料的磁化状态,从而提高了 MRAM 的读写速度和存储密度。此外,GMR 效应还为 MRAM 的制造提供了新的技术途径,使得 MRAM 能够更加容易地与传统的半导体制造工艺相结合。 在MRAM 技术中,GMR 效应主要