6.3.1 自旋转移矩(STT)写入原理 6.3.2 读,写,破坏电压分布 6.3.3 STT写脉冲宽度的影响 6.3.4 面内STT-MRAM 6.3.4.1临界翻转电流 6.3.4.2减小临界电流密度的措施 6.3.5面外STT-MRAM 6.3.5.1 面外磁化对写电流的好处 6.3.5.2强垂直各向异性与低吉尔伯特阻尼的折中 6.3.5.3 从磁性材料与氧化物界面获得垂直各...
13.存储密度高: SttMram具有较高的存储密度,可以在单个芯片上集成更多的存储单元,从而提高存储容量。 14.快速读写速度: SttMram的读写速度非常快,写入和读取操作可以在纳秒级别完成。这使得SttMram在高性能计算和嵌入式系统中具有广泛的应用前景。 15.耐久性强: SttMram具有很好的耐久性,可以进行大量的读写操作而...
电压控制 MRAM 操作已被探索作为进一步降低 STT-MRAM 功耗的一种方式。虽然写入 STT-MRAM 存储单元是通过电流执行的,但压控磁各向异性 (VCMA)-MRAM 使用电场(因此,电压)进行写入操作——这大大降低了能耗。将自由层从平行 (P) 状态切换到反平行状态 (AP)(反之亦然)需要两个基本组件:一个电场(穿过隧道势垒)以...
与传统存储器相比,STTMRAM具有以下优点: 1. 高速:由于其基于电子自旋而非电子电荷的存储机制,因此具有非常快的读写速度。 2. 低功耗:由于其工作原理不需要消耗大量能量,因此功耗非常低。 3. 高可靠性:由于其存储机制基于磁性自旋,因此具有高度稳定的读取特性和极长的数据保持时间。 4. 高密度:由于其结构简单,可...
第二章STT-MRAM读写电路与阵列架构的基本原理11 2.1MTJ器件磁矩翻转机理11 2.1.1场感应磁化翻转11 2.1.2热辅助磁化翻转12 2.1.3自旋传输矩12 2.1.4STT-MTJ的建模13 2.2传统STT-MRAM读电路15 2.2.1电压时间转换感测电路15 2.2.2时间电压双域感测放大器16 2.2.3非破坏自参考感测放大器18 2.3传统STT-MRAM写...
图2 TMR效应(a)、STT-MRAM单元原理图(b)、低态写高态(c)、高态写低态(d) STT-MRAM不仅接近“万能存储器”的性能,同时由于其数据以磁状态存储,具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次的读写次数,已被美日韩等国列为最具应用前景的下一代存储器之一。美国Everspin、Honeywell公司已经推出了其MRAM存储器芯...
自旋传递扭矩RAM(STT-MRAM)它结合了非易失性,出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩(STT)写入是一种通过对齐流过磁性隧道结(MTJ)元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读...
最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场,使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程,因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有确定的磁场方向,它的...