MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器，它采用磁化的方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1，只要外部磁场不改变，磁化的方向就不会变化。不像DR AM为了要保持数据需电流不断流动，MRAM不需要刷新的操作。从原理上来看。MRAM的次数近乎无限次，片读取和写入速度接近SRAM。此外，穿隧式磁电阻材料有半导体材料...
通过构建新的 MRAM 阵列结构,用基于 28nm CMOS 工艺的 MRAM 阵列芯片运行了手写数字识别和人脸检测等 AI 算法,准确率分别为 98% 和 93%。 2022 年 12 月,三星电子在著名的微电子学会议 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上,发表了题为「World-most energy-efficientMRAMtechnology for non-volatile RAM applications(...
英特尔也是 MRAM 技术的主要推动者，该公司采用的是基于 FinFET 技术的 22 nm 制程。2018 年底，英特尔首次公开介绍了其 MRAM 的研究成果，推出了一款基于 22nm FinFET 制程的 STT-MRAM，当时，该公司称，这是首款基于 FinFET 的 MRAM 产品，并表示已经具备该技术产品的量产能力。2019年，Everspin与晶圆代工厂格...
MRAM 肯定不是一项新技术：它的发展可以追溯到几十年前。第一个MRAM技术的实现（例如切换模式 MRAM）依赖于磁场驱动切换，其中应用外部磁场来切换和写入存储位单元。该场是通过使电流通过铜线而产生的。这是一项很好的工程，但磁场感应开关无法向更小的尺寸扩展——因为实现所需磁场所需的电流随着电流线尺寸的减小而...
2、传统磁随机存储(Conventional MRAM) 传统磁随机存储器可以说是最早一代的概念存储器,它的每一个信息存储单元由一个MTJ连接一个晶体管组成,如图4(a)所示[9],MTJ两铁磁层接有电极,其中底电极所连接的铁磁层被与之相邻的反铁磁层的交换偏置(exchange bias)作用钉住了[6],使其磁极化方向更不易受到外界磁场...
与大部分其它半导体存储器技术不同，MRAM中的数据以一种磁性状态(而不是电荷)存储，并且通过测量电阻来感应，不会干扰磁性状态。采用磁性状态存储有两个主要优点：(1)磁场极性不像电荷那样会随着时间而泄漏，因此即使在断电的情况下，也能保持信息；(2)在两种状态之间转换磁场极性时，不会发生电子和原子的实际移动，...
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MRAM：由于其非易失性、高速读写和低功耗特性，未来可能在更广泛的领域包括存储和逻辑电路等方面得到应用。DRAM：主要用于存储正在被处理的数据、程序和临时结果，是计算机系统中必不可少的组成部分。SRAM：常用于高速缓存等场景，对速度要求极高的领域。综上所述，MRAM、DRAM和SRAM在数据存储机制、读写速度、集成度...
本项目开发一套适用于MRAM器件仿真设计的EDA软件与设计流程,包括第一性原理材料参数仿真计算提取,第一性原理非平衡格林函数(NEGF)量子输运仿真,复杂几何结构通用多尺度MTJ微磁/宏磁模拟,器件流片数据高性能统计分析,人工智能增强的紧凑模型建立与多...