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北京航空航天大学赵巍胜教授/王昭昊副教授团队基于自主的八英寸工艺平台成功研制了与180 nm CMOS工艺集成的128 Kb SOT-MRAM芯片。
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近日，浙江驰拓科技有限公司（Hikstor Technology）研发团队展示了基于40nm CMOS 平台的4 Mb 高可靠高性能新型存储MRAM芯片。通过核心存储单元磁性隧道结（MTJ）材料、工艺、设计协同优化，其面向车规AEC-Q100 Grade1应用的存储芯片展示出优异的良率和可靠性。该MRAM芯片具有125度下10年以上数据保持能力，支持超过万亿次...
MRAM不需要超级电容器,节省电路板面积,减少元件。MRAM可快速开机可快速系统恢复。 MRAM芯片是一种非挥发性存储器,可以永久保存数据,即使断电也不会丢失数据。而DRAM芯片是一种挥发性存储器,需要电源持续供电才能保持数据长电池寿命,从而减少维护成本。 数据保存时间长 ...
接口 并口MRAM Speed 35ns 数量 10000 应用领域 工业类、消费类、汽车电子 安装类型 SMD/SMT 产品说明 盘装或卷装 产品服务 提供样品测试 正规授权代理 专业技术支持 品牌 Everspin 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
该MRAM芯片具有125度下10年以上数据保持能力,支持超过万亿次重复写入,工作温区-40 ~ 125度。驰拓科技团队还展示了其亚ppm级失效率的大容量阵列良率水平达到了 95%,这表明,通过布署常规的外围电路,驰拓科技工艺平台即可支撑高良率的高可靠MRAM芯片规模制造。
近日,浙江驰拓科技有限公司(Hikstor Technology)研发团队展示了基于40nm CMOS 平台的4 Mb 高可靠高性能新型存储MRAM芯片。通过核心存储单元磁性隧道结(MTJ)材料、工艺、设计协同优化,其面向车规AEC-Q100 Grade1应用的存储芯片展示出优异的良率和可靠性。该MRAM芯片具有125度下10年以上数据保持能力,支持超过万亿次重复写...
浙江驰拓申请MRAM芯片的写入电压的脉宽确定专利，解决现有技术中MRAM性能较差问题 金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“MRAM芯片的写入电压的脉宽确定方法及其确定装置”的专利，公开号CN 119068934 A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本申请提供了一种MRAM芯片的写入...
Netsol MRAM芯片在无人机飞行数据中具有与SRAM不同，无需电压控制器、电池及电池插座、与nvSRAM不同，无需电容器、写入速度快、近乎无限的耐用性（100兆次的写入次数）、断电即时数据备份等明显的优势。Netsol的STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。...