在MOS两端加负压和小的正压时(反型前),p-sub处在积累和耗尽状态,MOS高频和低频C-V特性是相同的,因为积累是电容下极板产生空穴,而空穴是多子,数量很多,所以能够跟得上高频信号的变化。在耗尽情况下,p-sub感应出空间电荷区,空间电荷区的负电荷是由不可动的受主杂质提供,这与低频情况下是一样的,所以在MOS在反...
接下来可以得到MOS的 C-V特性曲线: C-V characteristic 注意到进入强反型时的电压V_{TH}非常接近但不等于耗尽区达到最大宽度时的电压(进入反型时的电压). 现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox}始终为定值\frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}},而C_{dep}需要根据不同情况决定, ...
在C-V特性曲线上,高频电容与施加电压有关,Qit对高频信号不做回应所以不会改变,它只会对多余电荷的补充和消耗做出响应(dVg/dt),所以在耗尽区扭曲。 2) 氧化层固定电荷(Fixed Oxide Charge, Qf)。主要分布在距离Si/SiO2界面约2nm内,主要由于氧化过程或结束后回火条件不合理导致部分硅没有完全氧化产生硅正离子,由...
MOS结构的C-V特性 •MOS电容结构的能带图•理想MOS电容的C-V特性•实际MOS电容的C-V特性•小结 2 无偏压下MOS电容结构的能带图 EFMAl WsWm的接触电势差 表面势 qVmsqVoxqVs EC EC SiO2Si（P型）EFEV EFM Al +++SiO2 +++ --- Si（P型）EFEV 理想 x非理想 doxd 3 外加偏置下MOS电容结构的能...
通过观察这个结果，我们可以深入了解NMOS电容在低频条件下的电容-电压特性。同时，我们还可以进一步探讨高频条件下MOS电容的C-V特性，以获得更全面的了解。图4展示了高频下NMOS电容的CV特性仿真结果。通过观察这个结果，我们可以进一步了解NMOS电容在高频条件下的电容-电压特性，从而获得更全面的认识。同时，我们还可以探讨...
切换模式 登录/注册0sunmoon 分享模拟集成电路设计知识关注MOS电容C-V特性发布于 2022-10-25 09:25・IP 属地天津 · 3928 次播放 赞同11 条评论 分享收藏喜欢 举报 电路设计电感 写下你的评论... 1 条评论 默认 最新 ZHFANS 一条视频把MOS电容讲解的明明白白,大神,...
高频MOS结构C-V特性测试
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