MOS结构高频C-V特性测试是检测器件构造工艺的重要手段。这个实验的目的是掌 MOSC-VdN 握结构高频特性测试原理,并确定二氧化硅层厚度o、衬底杂质浓度、 氧化层中可动电荷面密度Q和固定电荷面密度Q等参数。 Ifc Q和Q Ifc 杂质浓度N 先测量MOS结构的高频C-V特性曲线 与理想MOS结构C-V曲线做比较 dNQ 获得氧化层的...
1.MOS结构及其C-V特性 式中是金属电极上的电荷面密度,A是电极面积。GQ通过对该电容的C-V特性的测量分析,就可以了解半导体表面的各种状态,如SiO2-Si界面的各种电荷的性质,测定Si的许多重要表面参量和体参量(如杂质浓度,少子寿命等)。本实验是通过对C-V特性的测量分析计算出氧化层中固定的电荷密度。 2.理想MOS...
MOS结构高频C-V特性测试 MOS 结构高频C-V 特性测试 MOS 结构电容-电压特性（简称C-V 特性）测量是检测MOS 器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度ox d 、衬底掺杂浓度N 、氧化层中可动电荷面密度I Q 、和固定电荷面密度fc Q 等参数。本实验目的是通过测量MOS 结构高频C-V 特性及偏压温度...
实验一 MOS 结构高频 C-V 特性测量 一、实验目的 MOS结构高频电容-电压特性 简称C V特性 测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度dOX、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度QI和固定电荷面密度Qfc等参数。 本实验目的是通过测量MOS结构高频C-V特性 确定二氧化硅层厚度dOX、衬底掺杂...
内容提示: MOS 结构高频 C-V 特性测试 MOS 结构电容-电压特性 简称 C-V 特性 测量是检测 MOS 器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度Q 、和固定电荷面密度本实验目的是通过测量 MOS 结构高频 C-V 特性及偏压温度处理 简称 BT 处理 确定ox 一、 实验原理 oxd 、衬底掺杂浓度 N、氧化层中Q...
MOS结构高频C-V特性测试MOS结构电容-电压特性(简称C-V特性)测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度oxd、衬底掺杂浓度N、..
实验二 MOS结构准静态C-V 特性测量
与-BT同样测量C-V特性,将得到 图2中的曲线3。由于这时可动电荷基本上都移到Si/SiO=界而附近。所以沧中包含有固 左电荷和可动电荷的影响。可动电荷而密度为Q,有: V 令△匕力=|"皿2一匕血|,并由(4-14)式可得可动电荷面密度: cAV 0 =(4-⑸ 4. 采用髙频CW测试方法,以及正、负偏温(士BT)实验,...
接下来可以得到MOS的 C-V特性曲线: C-V characteristic 注意到进入强反型时的电压V_{TH}非常接近但不等于耗尽区达到最大宽度时的电压(进入反型时的电压). 现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox}始终为定值\frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}},而C_{dep}需要根据不同情况决定, ...