MOS电容(高频) 在MOS两端加负压和小的正压时(反型前),p-sub处在积累和耗尽状态,MOS高频和低频C-V特性是相同的,因为积累是电容下极板产生空穴,而空穴是多子,数量很多,所以能够跟得上高频信号的变化。在耗尽情况下,p-sub感应出空间电荷区,空间电荷区的负电荷是由不可动的受主杂质提供,这与低频情况下是一样的...
C0与金属端施加的电压V无关,而Cs随电压V改变,所 以MOS电容是微分电容。 图2MOS场效应晶体管的平面示意图图3MOS结构的等效电路 MOS结构高频C-V特性测试是检测器件构造工艺的重要手段。这个实验的目的是掌 MOSC-VdN 握结构高频特性测试原理,并确定二氧化硅层厚度o、衬底杂质浓度、 氧化层中可动电荷面密度Q和固定...
讲到MOS电容,他的结构就是Gate-Oxide-Semiconductor的夹心电容结构,其实就是高中物理讲的平板电容结构。而我们实际的平板电容的C-V特性下的电容式恒定值,因为电容公式高速我们电容只和介电常数以及厚度和面积相关,所以和电压无关。不过MOS结构的电容会随着电压的变化而变化。 MOS-Cap的电容结构很简单,忽略源漏极就只...
接下来可以得到MOS的 C-V特性曲线: C-V characteristic 注意到进入强反型时的电压 V_{TH} 非常接近但不等于耗尽区达到最大宽度时的电压(进入反型时的电压). 现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox} 始终为定值 \frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}} ,而 C_{dep} 需要根据不同情况决...
MOS结构的C-V特性 •MOS电容结构的能带图•理想MOS电容的C-V特性•实际MOS电容的C-V特性•小结 2 无偏压下MOS电容结构的能带图 EFMAl WsWm的接触电势差 表面势 qVmsqVoxqVs EC EC SiO2Si（P型）EFEV EFM Al +++SiO2 +++ --- Si（P型）EFEV 理想 x非理想 doxd 3 外加偏置下MOS电容结构的能...
正因如此，当栅压超过阈值电压后，NMOS电容在低频与高频下的特性曲线呈现出了不同的变化趋势。图3展示了低频下NMOS电容的CV特性仿真结果。通过观察这个结果，我们可以深入了解NMOS电容在低频条件下的电容-电压特性。同时，我们还可以进一步探讨高频条件下MOS电容的C-V特性，以获得更全面的了解。图4展示了高频下NMOS电容...
以及VG=0时的C-V特性曲线相关知识点: 试题来源: 解析 答案: 1)VG较大的负偏压时,分母第二项趋于零,故C/Co=1 即C=Co,这时C-V不随电压变化-AB段 2)当VG的绝对值较小时,上式分母中第二项较大,不能省略,这时C/Co随/VG/的减小而减小-BC段 3)VG=0,表面势=0,表层电荷不存在,对能量的影响等于零,...
高频MOS结构C-V特性测试