MOS结构高频C-V特性测试是检测器件构造工艺的重要手段。这个实验的目的是掌 MOSC-VdN 握结构高频特性测试原理,并确定二氧化硅层厚度o、衬底杂质浓度、 氧化层中可动电荷面密度Q和固定电荷面密度Q等参数。 Ifc Q和Q Ifc 杂质浓度N 先测量MOS结构的高频C-V特性曲线 与理想MOS结构C-V曲线做比较 dNQ 获得氧化层的...
1.MOS结构及其C-V特性 式中是金属电极上的电荷面密度,A是电极面积。GQ通过对该电容的C-V特性的测量分析,就可以了解半导体表面的各种状态,如SiO2-Si界面的各种电荷的性质,测定Si的许多重要表面参量和体参量(如杂质浓度,少子寿命等)。本实验是通过对C-V特性的测量分析计算出氧化层中固定的电荷密度。 2.理想MOS的...
MOS 结构高频 C-V 特性测试 MOS 结构电容-电压特性 简称 C-V 特性 测量是检测 MOS 器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度Q 、和固定电荷面密度本实验目的是通过测量 MOS 结构高频 C-V 特性及偏压温度处理 简称 BT 处理 确定ox 一、 实验原理 oxd 、衬底掺杂浓度 N、氧化层中Q 等参数。
内容提示: 实验二 MOS结构准静态C-V 特性测量 MOS结构低频C-V特性,是确定二氧化硅层厚度界面态密度参数(简称准静 态C-V特性)测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。 本实验目的是通过测量MOS结构低频C-V特性,确定二氧化硅层厚度界面态 密度参数. 一、实验原理 在MOS 结构上加一个扫描速率很慢的线性斜坡扫描电压 ...
6.2MOS结构的C-V特性 6.2.1理想MOS结构的C-V特性 222 V G V ox 对于一个理想的MOS结构,当外加偏压V G 变化时,金属电极 上的电荷Q M 和半导体表面电荷Q S 都要相应变化,这说明MOS结构 由一定的电容效应,所以我们把它称作MOS电容器。 Q m Q s mS QQ 6.2.1理想MOS结构的C-V特性 333 V G V ox...
高频MOS结构C-V特性测试
图4-2铝柵P-Si MOS结构C-V特性 对于铝栅P-Si MOS结构,怡大于零,G也大于0(正电荷),所以V„<Oe如图4-2所 示,曲线1是在常温下测量的,曲线0为理想MOS结构曲线。利用正、负偏压温度处理方法 (简称土BT处理),可将氧化层中可动电荷和固泄电荷区分开。-BT处理是给样品加一眾的 负偏压(即%<0),同时将样...
MOS结构高频C-V特性测试MOS结构电容-电压特性(简称C-V特性)测量是检测MOS器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度oxd、衬底掺杂浓度N、..
MOS结构高频C-V特性测试 MOS结构的电容是外加压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性)。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较,可求得氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、...