您好：2SJ355是P-MOS，当栅极为低电平是Q1导通，高电平截止。图中Q1的2Sj355的作用： 作为D+上拉电阻R51的开关；当USB端口需要接上拉电阻时，MCU可以给U1CONNECT低电平，上拉电阻使能，否则断开。貌似图中有点小问题，就是R51到R57的连线应该和U1D+的USB数据线有交点。希望能帮到您。
研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机... 韩晓亮,郝跃,刘红侠 - 《半导体学报(英文版)》 被引量: 13发表: 2005年 超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究 本文深入研究了P...
二、MOSG级分压的作用 MOSG级分压是一种常用的电路设计技术,可以有效地控制MOSFET的G级阈值电压,从而实现电路的优化设计。MOSG级分压电路通常由两个电阻和一个二极管组成,如图所示。其中,R1和R2是两个电阻,D1是一个二极管。当输入电压Vin大于二极管的正向压降时,二极...
一、漏极电压的作用 漏极电压是MOSFET的工作电压,它是指漏极与源极之间的电压。当MOSFET处于导通状态时,漏极电压一般低于或等于栅极电压。过高的漏极电压可能导致MOSFET损坏。因此,在设计和使用MOSFET电路时,需要合理控制漏极电压的大小和变化范围,以确保电...
已解决: 我面临的问题是理解米勒高原在关闭 MOSFET 时如何发挥作用,因为在开启特性中 Cgd 被充电,但在关闭情况下它将如何放电以使漏极电压足以阻止电压。
NBTI和HCI在pMOSFET器件退化中的相互作用何燕冬,段小蓉(北京大学微电子学研究所,北京100971)摘要:随着器件尺寸的不断缩小,器件中横向电场和纵向电场逐渐增大,在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。泰文主要研究了在NBTI和HCI退化共同作用下,纳米尺度pMOSFET的退化规律,通过交换源端和漏端进行饱和漏电流的测试,确定不同...
研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解,但栅氧中的氮提供了H+的陷阱中心,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加,其总体效果表现为氮对NBTI效应...
一、VBRDSS的作用 MOSFET是现代电子电路中常用的一种器件,它具有高速开关、低驱动电压、低开关损耗等优点,被广泛应用于各种电子设备中。而VBRDSS作为MOSFET的一个重要参数,它的作用是限制漏源电压的最大值,避免器件进入雪崩状态,从而保护MOSFET的正常工作...
MOSFET晶圆化镀是指将金属沉积在晶体管的特定区域,以形成源极、漏极和栅极的连接。这是MOSFET制造过程中的关键步骤之一。 二、MOSFET晶圆化镀的作用 MOSFET晶圆化镀的主要作用是在晶圆上形成金属电极,以连接晶体管的不同区域。这些电极包括源极、漏极和栅极,它们...
误导通抑制电容器是一种具有高频响应特性的电容器,其主要作用是在SiC MOSFET的栅极和源极之间形成一个低阻抗通路,以抑制误导通的发生。误导通是指在SiC MOSFET的LS导通时,其HS发生误导通,从而影响电路的正常工作。通过使用误导通抑制电容器,可以有效地抑制误导通的发生,从而提高...