百度试题 题目SCR、GTO、BJT、P-MOSFET、IGBT分别指的是什么电力电子器件?相关知识点: 试题来源: 解析 SCR晶闸管 GTO门极可关断晶闸管 BJT双极型功率晶体管 P-MOSFET功率场效应晶体管 IGBT绝缘栅双极型晶体管 反馈 收藏
IGBT 是P-MOSFET 工艺技术基础上的产物,它兼有 MOSFET 高输入阻抗、高速特性和 GTR 大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区,较高的效率,驱动电路简单等优点。反馈 收藏
P.MOSFET的栅极是绝缘的,属于电压控制器件,因而输入阻抗高,驱动功率小,电路简单。为了正确的控制P-MOSFET的开通和关断,对栅极驱动电路提出如下要求: 1、触发脉冲的前后沿要陡峭,触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压,以保证P-MOSFET的可靠触发导通。 2、开通时以低电阻对栅极电容充电,关断时为栅极电容提供低电阻放...
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感应的原理,是利用垂直的栅压VGS实现对水平IDS的控制。它是多子(多数载流子)器件。用跨导描述其放大能力。 它分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是...
P-MOSFET特点是什么P沟道增强型场效应管有哪些特点P沟道增强型场效应管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称 2024-09-23 17:08:42 PL2700 SOT23-5 限流配电开关IC 单P-MOSFET负载开关 一般说明 PL2700是一种经济有效、低电压、单P-MOSFET负载开关,为自供电和总线...
[2.4.1]--电力场效应晶体管P-MOSFET 元器件,场效应晶体管,MOSFET驱动器,晶体管手册 2022-11-10 22:29:16 P沟道增强型场效应管有哪些特点 P沟道增强型场效应管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称P-MOSFET)是一种基于沟道型效应晶体管的MOSFET,具有一系列独特的...
[2.4.1]--电力场效应晶体管P-MOSFET 元器件,场效应晶体管,MOSFET驱动器,晶体管手册 2022-11-10 22:29:16 P沟道增强型场效应管有哪些特点 P沟道增强型场效应管(P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称P-MOSFET)是一种基于沟道型效应晶体管的MOSFET,具有一系列独特的...
这个P型（沟道）的MOSFET是起保护作用的。防止电源的输出端短路烧毁电源前端。在24V电源输出正常的情况下，P型（沟道）的MOSFET的G－S端通过电阻分压获得足够高的启动电压（12V左右），MOSFET完全导通，相当于短路线，对电源的输出没有任何影响；在24V电源输出端意外短路的情况下，P型（沟道）的MOSFET的G...
电力 MOSFET 驱动电路的特点 : 要求驱动电路具有较小的输入电阻 , 驱动功率小且电路简单。反馈 收藏