33.在P-N结两边,少数载流子以方式运动。 A、 激发 B、 扩散 C、 漂移 D、 跃迁 免费查看参考答案及解析 题目: 86.我国生产10KV及以下的少油断路器安装地点( )。 A、 均属户内式 B、 也有少数户外式 C、 户内、户外均有 D、 均属户外式 免费查看参考答案及解析 题目: 3. 关于结合酶的特点,叙述...
一、N沟道增强型场效应管结构 a) N沟道增强型MOS管结构示意图 (b) N沟道增强型MOS管代表符号 (c) P沟道增强型MOS管代表符号 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘...
MOSFET是半导体器件,芯片是集成半导体器件,这些和半导体材料都不是一个概念。MOSFET的发热是损耗引起的,可以大致分为两个部分:开关损耗和导通损耗,前者主要成因是半导体性质,后者的主要成因是导体性质。sun: 根据约瑟夫森结效应,可以设计约瑟夫森二极管,二极管是电子线路中最重要的原件之一。根据这个效应,有可能实现超导电子...
1.20从结构上讲,功率MOS 管与VDMOS 管有何区别? 答:功率MOS 采用水平结构,器件的源极S ,栅极G 和漏极D 均被置于硅片的一侧,通态电阻大,性能差,硅片利用率低。 VDMOS 采用二次扩散形式的P 形区的N +型区在硅片表面的结深之差来形成极短的、可精确控制的沟道长度(1~3m )、制 成垂直导电结构可以直接装...
为减小衬偏电压VBS对MOSFET阀值电压的影响,应该尽量( )。 A. 减小氧化层厚度 B. 增加衬底掺杂浓度 C. 增加氧化层厚度 D. 选用介电系数更大的氧化层材料 查看完整题目与答案 相关题目: 关于校园欺凌,下列说法不正确的是()。 A. 校园欺凌常常以大欺小,倚强凌弱 B. 校园欺凌表现为索要...
Data_N中N代表的含义是( )。 A. Network B. Negotiate C. Negative D. Noise 查看完整题目与答案 砖砌体的转角处和交接处当不能留斜槎时,除转角处外,可留设直槎,加设拉结筋每120mm墙厚应设置1∮6拉结筋,当墙厚为120mm时应设置1∮6拉结筋。() A. 正确 B. 错误 查看完整题目与答案...
N沟道JFET结型(耗尽型)P沟道N沟道N沟道FET场效应管增强型P沟道P沟道MOSFET绝缘栅型耗尽型知识1场效应管的类型、结构、原理 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。一、 结型场效应管(JFET)(一)结构 (以N沟道为例) 1、它是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,用P+表示,形成两个P+N结。
半导体物理有关的基本概念,质量作用定律,热平衡与非平衡、漂移、扩散,载流子的注入、产生和复合过程,描述载流子输运现象的连续性方程和泊松方程。(红色部分不作考试要求)第二章:p-n结 主要内容包括热平衡下的p-n结,空间电荷区、耗尽区(耗尽层)、内建电场等概念,p-n结的瞬态特性,结击穿,异质结与高低结。
过流检测及自动复位电路, 故障状态指示和输入控制单元, 以及分别为模拟和数字电路部分提供隔离的稳压电源的稳压器等功能电路, 当串联在负载上的检测电阻Rsen两端电压高于100mv (即内部基准电压源的数字值) 时, 比较器输出信号, 最终通过引脚G端到外接N沟道MOSFET功率管, 切断负载与电源的通路, 达到保护负载的目的。
C.一氧化碳有可燃性,用于冶炼金属D.汽油有乳化作用,用于去除油污 免费查看参考答案及解析 题目: 下列缺陷不能由绝缘电阻试验发现的是。 A、 两极间有穿透性的导电通道 B、 整体受潮或局部严重受潮 C、 表面污秽 D、 绝缘老化 免费查看参考答案及解析 题目: 345.P型半导体以自由电子导电为主,N型半导体以...