新製品は、素子構造の最適化により性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×電荷量特性[注2]を低減しました。TPH3R008QMの場合、当社既存製品TPH4R008NHと比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量を約48 %低減、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷...
新型內部構造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的Rds(on)波動。 - 更優異抗噪特性 寬柵-源電壓範圍(Vgss: -10V~+25V),及更高閾值電壓範圍(Vth: 3V~5V),便於柵極驅動設計。 - 更高可靠性 高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入,改善長期高溫度衝擊循環的CTE失配。
パッシベーション:ポリイミド(エッジ構造のみ) StrongIRFET™およびOptiMOS™パワーMOSFETベアダイ製品の詳細については、インフィニオンサービスセンターまたは販売代理店、インフィニオン担当者にお問い合わせください。 ハイライト 推奨ドキュメント 技術資料他 ログインして全ての文...
この超高電圧のNチャネル・パワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づくMDmesh K5テクノロジーを使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率が求められるアプリケーション向けのオン抵抗の劇的な削減と、超低ゲート電荷が実現します。 特徴 きわめて低いRDS(on) x 領域 ...
当社は、データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業用機器のスイッチング電源向けに展開中の、650 V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVI (ディーティーモスシックス) シリーズに「TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z、TK190E65Z」...
これら2品種の40V耐圧パワーMOSFETは、トレンチゲート構造のSTのSTripFET™ F6を採用した新製品ファミリの最初の製品で、車載アプリケーション用に広範な定格電流および定格電圧を提供しています。これらの新製品は、最大内部温度175°Cなど、極めて過酷な環境での動作に対応するよう設計されてい...
これら2品種の40V耐圧パワーMOSFETは、トレンチゲート構造のSTのSTripFET™ F6を採用した新製品ファミリの最初の製品で、車載アプリケーション用に広範な定格電流および定格電圧を提供しています。これらの新製品は、最大内部温度175°Cなど、極めて過酷な環境での動作に対応するよう設計されてい...
低耐圧トレンチ構造の最新世代プロセスU-MOSIX-Hを採用し、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現と、オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善[注2]しました。また、既存世代プロセスU-MOSVIII-Hの特長である低ゲートスイッチ電荷量特性も引継いでおり、スイッチング用途における要...