在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
VGS与VDS的重要性对比 VGS和VDS在MOSFET管的应用中都具有不可替代的重要性，很难简单地判定哪一个更重要，它们的重要性取决于具体的应用场景和设计要求。 从控制角度：VGS是控制MOSFET导通与截止的核心参数，它直接决定了MOSFET的工作状态。在需要精确控制MOSFET开关动作的场合，如高速开关电路、精密信号放大电路等，...
在MOSFET的选型过程中，VGS和VDS是两个关键参数，它们直接关系到MOSFET的工作状态和安全性。正确理解和应用这两个参数，结合其他电气特性，是设计高效、可靠电路的基础。随着电子技术的发展，对MOSFET性能的要求也在不断提高，因此，工程师需要不断学习最新的MOSFET技术和选型方法，以满足不断变化的市场需求。
极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。 VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM表示的是漏源之间...
VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受...
VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM 表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。
测量数据表明,虽然寄生电容的大小与VDS密切相关,但是与温度的变化几乎没有任何影响,对温度不敏感。 MOSFET的开关特性 当栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才能ON/OFF,这个延迟时间为开关时间。一般而言,规格书上记载td(on)/tr/td(off)/tf,这些数值是典型值,具体描述为: td(on):开启延迟时间(VGS 10%→VDS 90%) tr:...
你可以这么理解,当VDS大于VOD(即VGS-VTH)时,多出来的电压(VDS-VGS+VTH)加在了耗尽层(ΔL)那一段上,VOD电压加在反型层上,沟道长度变短成为(L-ΔL),对于比较长的沟道,ΔL相对于L可以忽略,所以说当VDS>VOD后,电流基本不变。对于短沟道或者说你想考虑沟道长度调制(即考虑输出电阻有限),ΔL相对于L不能忽略...
本篇主要介绍绝对最大额定值相关的参数。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数,参数列表如下所示 1、漏-源极电压(VDS) VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压,在管子工作时,这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时,VDS电压都要降额80%选用。
首先从表示ID-VGS特性的图表中,读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th),因此Ta=25℃的曲线与1mA(0.001A)的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值(Typ),但从图表中可以看出,VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。