功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有:横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS(Lateral Doub...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)有三个主要电极,分别是栅极(Gate)、漏极(Source)和源极(Drain)。这三个电极的区分方法如下: 1. 栅极(Gate):栅极是MOSFET的控制电极,用于控制MOSFET的导通与截止。栅极一般用来接收控制信号,通过控制栅极电压的大小,可以调节MOSFET的导通程度。 2. 漏极(Source):漏极是MOSFET...
MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G:gate栅极;S:source源极;D:drain 漏极。 MOS管的sour...
那实际的process如果发现BV变小,并且确认是从junction走的,那好好查查你的Source/Drain implant了。 3、 Drain-》Gate击穿 这个主要是Drain和Gate之间的Overlap导致的栅极氧化层击穿,这个有点类似GOX击穿了,当然它更像 Poly finger的GOX击穿了,所以他可能更care poly profile以及sidewall damage了。当然这个Overlap还有...
MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。它的基本机构如下图(图1)所示:P型半导体作为衬底,其两端各有一个重掺杂N+,分别作为源极(SOURCE,S)和漏极(DRAIN, D),在P型半导体表面涂上一层sio2绝缘层并在绝缘层上引出一端,作为栅极(GATE, G)。
MOSFET 的三端标记分别为 G, S, D(Gate, Source, Drain), 电路符号有多种形式, 最常见的如下图所示, 以一条垂直线代表沟道(Channel), 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain), 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate). 有时也会将代表沟道的直线以虚线代替, 以区分增强型(enhancement mode)MOSF...
那实际的process如果发现BV变小,并且确认是从junction走的,那你的好好查查你的Source/Drain implant了,还有你的Anneal。可以理解了吧? 3) Drain->Gate击穿:这个主要是Drain和Gate之间的Overlap导致的栅极氧化层击穿,这个有点类似GOX击穿了,当然它更像Poly finger的GOX击穿了,所以他可能更care poly profile以及sidewall...
MOS的基本结构 晶体管的基本结构如图6-1所示,两个PN结为Source和Drain,用来提供电子或空穴。场效应晶体管(field-effect transistor )FET 是指Gate 通过栅氧电场来控制反型层((inversion layer),从而控制管子导通或者关断。6-1(b)显示了mosfet的IV特性,当Vg=0时,只有很小的关断的漏电流Ioff,随着Vg的增大,导通电...
源极（Source）：它是MOSFET的输入端电子的来源，对应管脚一个。漏极（Drain）：它是电子的流出口，...
MOSFET的基本功能是利用电压来控制电流的流动，这主要是通过在其栅极（Gate）和源极（Source）间施加电压来实现的，进而控制源极（Source）与漏极（Drain）间电流的流动。这种特性赋予了MOSFET在电路设计中极高的灵活性和效率。在类型上，MOSFET主要分为N沟道（NMOS）和P沟道（PMOS）两种。N沟道MOSFET在栅极电压高于...