当负电压VBE加到基极区时,PNP晶体管导通,当正电压加到基极区时,PNP晶体管关断。 由于大多数载流子是空穴,PNP晶体管的恢复时间相对较高,因此它的开关速度比NPN晶体管低。 在PNP晶体管的符号中,指向内的箭头表示电流在发射极内部流向基极和集电极的方向。因此,总电流IC是发射极电流减去基极电流。 IC = IE – IB #...
功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示,它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。由图1可看出,对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但...
Totem-Pole驱动器有个“硬核”特性:上NPN和下PNP的基极-发射极结能互相钳位,防止反向击穿。比如OUT输出高,栅极若振荡到正电压,上管BE反偏,但下管BE-OUT会钳位到约0.7V;OUT低时,负电压振荡被上管钳位。假定环路小(L < 1nH),RGATE忽略,栅极电压被限制在VBIAS + VBE(≈5.7V)和GND - VBE(≈-0.7V)之间。
PNP 和 NPN的电荷载流子不同，NPN以空穴为主要载流子，而PNP以电子为主要载流子。但两者的工作原理实际上是相同的，唯一的区别在于偏置，以及每种类型的电源极性。BJT符号 BJT是一个电流控制装置，集电极或发射极输出是基极电流的函数。比如，通过调基极和发射极之间电压，可以控制集电极的电流，如下图所示。BJT工作 电...
可以拿来和MOSFET(场效应管)进行类比的管子,我们自然会想到三极管,它们有诸多类似之处。 (一)、三极管分NPN和PNP,MOSFET也分N-MOS和P-MOS。 为了方便记忆图标,还可以这样去理解代表类型的箭头方向。NPN三极管的箭头是朝外的,而N-MOS的箭头是朝内的;与之对应,PNP三极管的箭头是朝内的,而P-MOS的箭头是朝外的。
基于NPN三极管的MOSFET驱动电路的深入研究与优化 在接下来的分析中，我们将深入探讨一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。这个电路虽然简洁，但其中蕴含的原理与技巧却不容忽视。在分析过程中，我们将一同探索器件选型、电路设计亮点以及效率与延迟等关键问题，力求全面揭示这一电路的运作机理与精髓。1.电路分析 1...
MOSFET可分为 NPN型和PNP型,NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。 按导电方式,MOS管又分耗尽型与增强型,所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型、P沟耗尽型和增强型四大类:N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。 MOSFET的工作原理 MOSFET的内部结构和电气符号如下图所示,N沟道型...
2.1 场效应管分类 场效应管在大类上分为JFET和MOSFET。JFET工作电流很小，适合于模拟信号放大，分为N沟道和P沟道两种。与双极型晶体管中的NPN和PNP类似，N沟道和P沟道仅是工作电流的方向相反。而且JFET由于应用场合有限，所以市场上该类产品数量较少。实际使用时，我们比较常见的场效应管是MOSFET。 MOSFET分为EMOS...
假如原来用 NPN 三极管作 ECU 氧传感器 加热电源控制低边开关 则直接用 N-Channel 场效应管代换 ;或看情况修改 下拉或上拉电阻 基极--栅极 集电极--漏极 发射极--源极 上面是在一个论坛上摘抄的,语言通俗,很实用, 2.用PMOSFET构成的电源自动切换开关 ...
以平面耗尽型N沟道MOSFET为例,基本结构如下图所示。可以看到,从左到右为NPN的掺杂,在扩散作用下,会自然形成像图中所示的深红色的耗尽区(depletion region),根据前面所述,耗尽区是不能导电的,因此漏极(Drain)到源极(Source)在未加外加电场的时是断开的,因此该结构是Normal off的结构。