Totem-Pole驱动器有个“硬核”特性:上NPN和下PNP的基极-发射极结能互相钳位,防止反向击穿。比如OUT输出高,栅极若振荡到正电压,上管BE反偏,但下管BE-OUT会钳位到约0.7V;OUT低时,负电压振荡被上管钳位。假定环路小(L < 1nH),RGATE忽略,栅极电压被限制在VBIAS + VBE(≈5.7V)和GND - VBE(≈-0.7V)之间。
QOFF和QINV是NPN三极管,考虑到它们需要快速开关,建议选择高速开关三极管,比如2N3904。这类三极管的开关时间通常比较快,集电极电流能力在几百mA,足够应对栅极驱动的需求。 RGATE的作用是限制栅极电流,避免冲击过大。假设MOSFET的栅极电容是1nF,驱动电压是12V,目标充电时间是50ns,那么需要的栅极电流为: RGATE的值可以根据...
接下来，我们将深入剖析一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。这个电路虽简洁，却蕴含着诸多技术要点，既展现了设计的精巧之处，也涉及到效率与响应速度的考量。在逐一剖析的过程中，我们将探讨器件选择与计算的奥秘，力求为您全面揭示这一电路的原理与精髓。❒ 1.1.1. 电路综述与目标 该电路的核心功能在...
在接下来的分析中，我们将深入探讨一个基于NPN三极管的MOSFET栅极自偏置关断电路。这个电路虽然简洁，但其中蕴含的原理与技巧却不容忽视。在分析过程中，我们将一同探索器件选型、电路设计亮点以及效率与延迟等关键问题，力求全面揭示这一电路的运作机理与精髓。1.电路分析 1.1.【MOSFET导通与关断】该电路的核心在于驱动...
深圳市威兆半导体取得集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件专利 金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市威兆半导体股份有限公司取得一项名为“32932.一种集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件”的专利，授权公告号CN112186028B，申请日期为2020年10月。天眼查资料显示，深圳市威兆半导体股份有限公司，成立...
本公司生产销售场效应管 场效应管 三极管,提供场效应管专业参数,场效应管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.场效应管 场效应管 品牌TOSHIBA|产地广东|价格4.00元|型号2SK940|封装TO-92L|宽度3.9mm|批号22+|最小电源电压4.5V|长度7.7mm|高度1.6mm|最小工作温度-40C|
BCX56-16 NPN三极管 100V 1A 100MHz 100~250 2V SOT-89/SC-62/TO-243 marking/标记 BL 线性稳压器 低边开关 MOSFET驱动器 放大器库存440件10起订 购买数量 商品参数相关型号 ×商品参数: 型号:BCX56-16 厂家:INFINEON 批号:5 05+ 整包数量:1000 最小起批量:10 标记/丝印/代码/打字:BL 封装:SOT-...
区分NPN和PNP三极管,利用仿真软件动态演示PNP型三极管工作原理 基本稳压电路限流电阻计算和回路分析,注意极端工况 三极管稳压电路限流电阻计算及与基本稳压电路空载和过载情况对比 改进基本稳压电路,三极管稳压电路分析 为什么MOSFET工作频率最高,你选过20V的IGBT或者超级结MOSFET吗 ...
QOFF和QINV是NPN三极管,考虑到它们需要快速开关,建议选择高速开关三极管,比如2N3904。这类三极管的开关时间通常比较快,集电极电流能力在几百mA,足够应对栅极驱动的需求。 RGATE的作用是限制栅极电流,避免冲击过大。假设MOSFET的栅极电容是1nF,驱动电压是12V,目标充电时间是50ns,那么需要的栅极电流为: ...
下面的图片展示了一个双极Totem-Pole MOSFET驱动电路,这玩意儿在功率MOSFET驱动设计中可是个“老江湖”,用上NPN和下PNP晶体管搭成的推挽结构,驱动效率还是蛮高的。这个电路设计有几个关键点,涉及外部驱动器位置、旁路电容布局、RGATE电阻设计,还有就是Totem-Pole拓扑电路的自钳位保护机制。咱们今天就来好好把这个电路...