晶闸管特征：由四层半导体材料组成的，即三个PN结，有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第...
1.二级管 2.三极管 3.晶闸管 4.MOS管 5. IGBT 6.MOS管与IBGT的区别 摘要 作为小白,我刚开始时对有时出现晶闸管、MOS管、IGBT等等类似二级管的元器件搞得一头雾水,下面本文将从各个元器件的特征、原理及区别进行归纳总结,同时将同种元器件的不同昵称进行罗列分析,方便将所有类二级管的元器件搞懂、搞明白。
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电源正接时由于NMOS管导通压降比较小,几乎不损失电压,比在电源端加保险管再在负载并联一个二极管的方案好。 MOS管的学习部分引用或摘录自文章《三极管和MOS管工作状态图解+实例》,感谢作者的分享
而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
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三极管，又称双极型晶体管，主要有硅NPN和锗PNP两种。其由N型和P型半导体组成，发射结和集电结分别形成。发射极电子流通过发射结和集电结，实现电流放大。3. 晶闸管 晶闸管，又称可控硅，由四层半导体材料组成，有三个电极：阳极A、控制极G和阴极K。控制极通过触发脉冲使晶闸管导通，断开阳极电源或...
在电子领域中,晶闸管、晶体管、二极管和三极管是常见的元件,它们在电路中各自扮演着重要的角色。下面,我们将逐一解析这些元件的概念和工作原理。 一、晶闸管 晶闸管,也被称为可控硅整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。它可以通过控制信号来控制电流...