晶闸管特征：由四层半导体材料组成的，即三个PN结，有三个电极：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第...
1.二级管 2.三极管 3.晶闸管 4.MOS管 5. IGBT 6.MOS管与IBGT的区别 摘要 作为小白,我刚开始时对有时出现晶闸管、MOS管、IGBT等等类似二级管的元器件搞得一头雾水,下面本文将从各个元器件的特征、原理及区别进行归纳总结,同时将同种元器件的不同昵称进行罗列分析,方便将所有类二级管的元器件搞懂、搞明白。
三极管原理:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电...
电源正接时由于NMOS管导通压降比较小,几乎不损失电压,比在电源端加保险管再在负载并联一个二极管的方案好。 MOS管的学习部分引用或摘录自文章《三极管和MOS管工作状态图解+实例》,感谢作者的分享
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而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。 摘要:二极管、三极管、晶闸管、MOS管、IGBT的特征、原理及区别讲解。MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。
三极管，又称双极型晶体管，主要有硅NPN和锗PNP两种。其由N型和P型半导体组成，发射结和集电结分别形成。发射极电子流通过发射结和集电结，实现电流放大。3. 晶闸管 晶闸管，又称可控硅，由四层半导体材料组成，有三个电极：阳极A、控制极G和阴极K。控制极通过触发脉冲使晶闸管导通，断开阳极电源或...
普通的晶闸管与三极管的外形十分相似。晶闸管有三个极，分别是A极（阳极）、K极（阴极）、控制极（G极），常见的有单向晶闸管和双向晶闸管。单向晶闸管：同二极管一样，电流只能从A极流到K极。双向晶闸管：不分A极和K极，只区分G极，电流方向是双向的。场效应晶体管与IGBT：场效应晶体管（Field Effect Transistor...
二极管三极管晶闸管简介by 小曾 晶体二极管Diode1 1二极管的构成二极管的构成核心是PN结, P性材料和N性材料结合,有2个出线 端,即二极管有正负两个极应用电路整流稳压限幅PN正极负极a负极正极bpositivenegative2二