Totem-Pole驱动器有个“硬核”特性:上NPN和下PNP的基极-发射极结能互相钳位,防止反向击穿。比如OUT输出高,栅极若振荡到正电压,上管BE反偏,但下管BE-OUT会钳位到约0.7V;OUT低时,负电压振荡被上管钳位。假定环路小(L < 1nH),RGATE忽略,栅极电压被限制在VBIAS + VBE(≈5.7V)和GND - VBE(≈-0.7V)之间。
当负电压VBE加到基极区时,PNP晶体管导通,当正电压加到基极区时,PNP晶体管关断。 由于大多数载流子是空穴,PNP晶体管的恢复时间相对较高,因此它的开关速度比NPN晶体管低。 在PNP晶体管的符号中,指向内的箭头表示电流在发射极内部流向基极和集电极的方向。因此,总电流IC是发射极电流减去基极电流。 IC = IE – IB #...
PNP关断电路 这是比较常见的电路，由于Qoff的存在，在关断期间栅极和源极在MOSFET端形成局部短路。RGATE电阻器限制了开通速度，二极管为开通电流提供了路径，并且保护了三极管，防止在开通开始时出现反向击穿。这个电路的优势在于，MOSFET输入电容的高峰值放电电流被两个晶体管限制了，让关断电流不会返回驱动器，避免了误...
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示,它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。由图1可看出,对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其...
它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。如图1所示,对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管,如图2所示,其源极和漏极则接在P型半导体上。无论N型或者P型MOS管,其工作原理是一样的,都是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流 (或...
PNP 和 NPN的电荷载流子不同，NPN以空穴为主要载流子，而PNP以电子为主要载流子。但两者的工作原理实际上是相同的，唯一的区别在于偏置，以及每种类型的电源极性。BJT符号 BJT是一个电流控制装置，集电极或发射极输出是基极电流的函数。比如，通过调基极和发射极之间电压，可以控制集电极的电流，如下图所示。BJT工作 电...
在导通电阻方面,PNP和NPN双极型晶体管的主要区别在于导通时的电压极性。具体来说,PNP晶体管是N型半导体基区被夹在两个P型半导体的P型发射极和P型集电极之间,当发射极-基极结正偏时,晶体管导通,形成一个PNP电流流动通道,导通时电流从发射极注入基区,从集电极流出。与之相反,NPN晶体管是P型半导体基区夹在两个N...
8550三极管是一种PNP型的接插式晶体三极管,适用于低频放大和开关电路。假如需要代替8550三极管,可以考虑以下一些类似或替代型号: 1. BC557 2024-01-16 11:20:41 什么是三极管的推挽电路 三极管的推挽电路是一种常见的电子电路配置,用于放大和控制电流。它由两个三极管组成,一个被称为NPN三极管,另一个被称为PNP...
BJT有两种类型——PNP和NPN。每种类型都有一个大的集电极元件和一个大的发射极元件,它们以相同的方式掺杂。在这些结构之间是一小层称为“基础”的其他掺杂剂。电流流入PNP的集电极并流出发射极。在NPN中,极性相反,电流流入发射极并流出集电极。在任何一种情况下,基极中的电流方向都与集电极相同。