尖峰电压,也称为开关电压或开关峰值电压,是指在MOSFET的开关过程中,DS两端电压的瞬时峰值。尖峰电压的产生主要有以下几个原因: 3.1 开关过程中的电感效应 在MOSFET的开关过程中,源漏电容和布线电感会产生共振现象,导致DS两端电压的瞬时峰值。当MOSFET开关关闭时,源漏电容会放电,而布线电感会产生反向电动势,使得DS两端...
因此,当MOSFET从导通状态切换到截止状态时,DS端电感的电流不能立即消失,导致电流逆向流动,产生反向电压。这会导致DS端产生尖峰电压。 2.瞬态过程:在MOSFET的开关过程中,由于电容和电感的存在,会导致瞬态过程的出现。当MOSFET的开关状态发生变化时,电路中的电流和电荷会重新分布,导致电压的瞬时变化。这种瞬态过程也会...
但是,由于开关的时候电压和电流的急剧变化,器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视,导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格,那就必须抑制尖峰。 MOS_DS电压尖峰产生的原因 在半桥电路中,针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路,其设计方法说明...
DS电压是指MOSFET的漏极与源极之间的电压。在实际应用中,DS电压会影响MOSFET的导通电阻和电流。RC吸收则是指在MOSFET关断过程中,由于栅极与源极之间的电容(Cgs)和漏极与源极之间的电容(Cds)充放电,导致的电压尖峰。RC吸收对MOSFET的关断速度和开关损耗有很大影响。 三、MOSFET在不同应用场景下的优势 1.低功耗:MO...
SiC MOSFET DS电压尖峰产生原因 在半桥电路中,针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路,其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。
钳位电压:Ub 钳位电压最大值:Ubmax MOS漏极最大电压:Udmax MOS击穿电压:U(br)ds 我们以简单的TOPswitch系列来说明: TOPswitch系类单片机开关电源,MOS管的U(br)ds电压一般大于等于700V左右,我们现在取700V来计算。感应电压UoR为135V;因为瞬态电压抑制器TVS电压会随温度的升高而升高,所以我们都是以1.4倍来计算,...
Datasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS,即 DS 击穿电压,也就是我们关心的 MOSFET 的耐压 图中V(BR)DSS的最小值是600V,是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态? 相信很多人的答案是“是!”,曾经我也是这么认为的,但这个正确答案是“不是!” ...
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压(如2SK3418特性图所示),这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
一、击穿电压 DS可承受的最大电压,这个参数也并不是越大越好,耐压高的管子,一般通态电阻也比较大! 二、导通电流 Id,持续漏极电流,通常和通态电阻有很大关系。 三、体积和发热 热阻:热量在传导过程中受到的阻碍作用,用R表示。单位℃/W. 我们自然希望热阻越小越好,那样热量就会散发出去,而避免管子过热而损坏器...