RC Snubber电路由电阻(R)和电容(C)串联组成,并联在MOSFET的DS端。其主要作用是通过吸收和耗散高频振荡能量,抑制过冲和振铃现象。具体工作原理如下: 1.电容吸收能量:当MOSFET关断时,DS端电压迅速上升,电容C开始充电,吸收部分能量,减缓电压上升速度。2.电阻耗散能量:电阻R与电容C串联,形成一个阻尼电路,将吸收的能量...
MOSFET-DS-RC吸收电路被设计用于从输入信号中提取有效的模拟数据。在这个电路中,MOSFET的漏极与负载电阻(R)串联连接,并与漏极形成共接地的串联电容(C)。输入信号经过MOSFET的源极和栅极之间传输,通过负载电阻和电容器经过放大和滤波处理,最终输出。 MOSFET-DS-RC吸收电路的工作原理如下:1. MOSFET的漏极与负载电阻串...
1.DS吸收:DS(Drain-Source)吸收主要针对MOSFET的漏极-源极(Drain-Source)之间存在电压波动的问题。通过对DS电压进行平滑处理,可以降低电压噪声,提高电路的稳定性。 2.RC吸收:RC(Rectifier-Capacitor)吸收主要是为了消除MOSFET输入端电压的噪声。通过对输入电压进行整流和滤波,使得MOSFET工作在稳定的电压环境下,从而降低...
MOSFET的DS端是否需要加RC吸收电路取决于DS端电压的输出波形情况，如果有较大震荡，那么需要加吸收电路，具体步骤如下：1、测量MOSFET的DS端波形，记录震荡频率；2、DS端加电容（从小往大加），此时震荡频率会降低，通常加到振荡频率为不加时的二分之一；3、通过此时C的值计算R的损耗，确定R值；4、实...
采用上述实验平台对 RC吸收电路计算方法的有效性进行验证,增加 RC吸收电路前后 SiC MOSFET 的DS 引脚之间电压和母线电压 ( UDC) 的实验波形如图 7 所示。 图7 表明,增加 RC吸收电路后,电压过冲由1 080 V下降至 740 V,降低了约31%; 没有 RC吸收电路时 SiC MOSFET 的 UDS单个波形振荡周期为 51 ns,经过10...
一般来说,一个简单的RC缓冲器使用电阻R串联电容器c, RC缓冲器与功率MOSFET并联连接。由于杂散电感的存在,切断电路中的电流会使其电压急剧升高。缓冲器阻止这个浪涌电压,以保护功率MOSFET及其附近的组件。 在反激变换器的变压器有漏感Lleak。当MOSFET关断时,漏感导致浪涌电压瞬间在功率MOSFET的漏极和源极两端施加。在...
DS电压是指MOSFET的漏极与源极之间的电压。在实际应用中,DS电压会影响MOSFET的导通电阻和电流。RC吸收则是指在MOSFET关断过程中,由于栅极与源极之间的电容(Cgs)和漏极与源极之间的电容(Cds)充放电,导致的电压尖峰。RC吸收对MOSFET的关断速度和开关损耗有很大影响。 三、MOSFET在不同应用场景下的优势 1.低功耗:MO...
从实际的波形上看,MOSFET的DS区域相当于一个反并联的二极管。由于这个二极管两端加的是反向电压,因此处于反向工作区,随着DS的电压VDS增加,增加到接近于对应稳压管的钳位电压也就是 V(BR)DSS时,VDS的电压就不会再明显的增加,而是维持在V(BR)DSS值基本不变,如图1所示。此时,MOSFET工作于雪崩区,V(BR)DSS就是雪崩...
功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是非常通用的功率器件,因为它具有低的栅极驱动功率,快的开关速度和优异的并联工作能力。许多功率MOSFET具有纵向的垂直结构,源极和漏极在晶元的相对的平面,从而可以流过大的电流和具有高的电压。 图1a和1b示出沟漕和平面两种基本的器件结构。沟漕结构主要用于额定电压低于200...
当DS的反向电流开始流过P区后,Rp和Rc产生压降,Rp和Rc的压降等于三极管BJT的VBEon。由于局部单元的不一致,那些弱的单元,由于基级电流IB增加和三级管的放大作用促使局部的三极管BJT导通,从而导致失控发生。此时,栅极的电压不再能够关断MOSFET。 图4 寄生三极管导通 在图4中,Rp为源极下体内收缩区的电阻,Rc为接触...