这个压降由MOSFET的导通电阻Rds_on决定,它表示在MOSFET导通时,流过器件的电流与电压之间的比值。 通态压降的计算公式为: \[ V_{DS} = I_{DS} \times R_{DS_on} \] 其中,\( V_{DS} \)是源极到漏极之间的电压,\( I_{DS} \)是流过MOSFET的漏极电流,\( R_{DS_on} \)是MOSFET的导通电阻。
规格书在这里http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf我找了下规格书没看到压降,我觉得大概在1.2V到1.3V,还是说参考电压就是压降 IGBT导通压降和饱和压降怎么区分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种电力电子器件,它结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性。在电力电子领域,IGBT广泛应用于变频器...
它表示MOSFET在导通状态下，从漏极流出的电流大小。这个电流的大小直接影响着导通损耗的大小，因为导通损耗与电流压降成正比。因此，在设计和选择MOSFET时，需要充分考虑漏极电流的需求，以优化导通损耗。为简化模型，我们假设MOS管的漏源极导通电阻为R_ds，而占空比用D来表示。现在，以华轩阳的HXY80N06D为例，我们来...
此时GS 电容电压已达稳态,DS 电压也达最小,即稳定的通态压降。 关断过程[ t5 ~t9 ]: -- 在 t5 前,MOSFET 工作于导通状态, t5 时,MOSFET 被驱动关断; -- [t5-t6]区间,MOSFET 的Cgs 电压经驱动电路电阻放电而下降,在t6 时刻,MOSFET 的通态电阻微微上升,DS 电压梢稍增加,但DS 电流不变; -- [t6-...
对于信号控制(控制DS极导通接地实现高低平)来说只要电压,不需要电流,所以只要求MOS管导通时产生的压降越小越好,可以使D极的电压直接被拉为接近0v,因此首选Vgs=4.5v左右,而不选10v。有些用于信号控制的MOS管如2N7002K,Vgs为10V和4.5V时产生的压降差不多,可以根据情况选择10v或者4.5v左右的导通电压。因此对信号控制...
[t3-t4]区间，至t3 时刻，MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升，至t4 时刻为止。此时GS 电容电压已达稳态，DS 电压也达最小，即稳定的通态压降。关断过程[ t5 ~t9 ]：在 t5 前，MOSFET 工作于导通状态， t5 时，MOSFET 被...
控制端电压<3V时优选三极管高压场景（>100V）优先考虑MOS管 电流临界点判断 临界电流公式：I_c=0.6V/R_DS(on)当负载电流超过该值时切换至三极管 频率响应要求 100kHz以下：三极管性价比更优100kHz-1MHz：低压MOS管1MHz：必须选用高频MOS管 热管理考量 密闭环境优先MOS管（低发热）强制散热条件下可考虑三极管 成...
下图是MOS导通时候DS的电压: 红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。 下图是电流波形 红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。 可以看到,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度,对EMI有好处。下图是对两个不...
右图是瑞萨2SK3418的Vgs电压和Vds电压的关系图。可以看出小电流时,Vgs达到4V,DS间压降已经很小,可以认为导通。 3、MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压(如2SK3418特性图所示),这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导...
1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极...