从图1可以看出,利用二极管D1的单向导通特性,实现防反接功能,这种方法简单、安全可靠、成本低廉,但是负载Rload两端的电压较输入电压Vin少了一个二极管D1的电压,并且负载不能太大(电阻不能太小),否则有可能因为电流过大而烧坏二极管D1,就这直接决定了这种电路不能适用于大功率。 (2) N-MOSFET防反接电路原理 图2...
MOSFET防反接电路通常由一个MOSFET开关和一个反向二极管组成。当电源正接时,MOSFET开关导通,电路正常工作;当电源反接时,反向二极管导通,将电源短路,从而保护电路免受损坏。 二、MOSFET防反接电路的工作原理 当电源正接时,MOSFET的栅极(G)接收到高电平信号,MOSFET导通,电流从电源正极经过MO...
电源防反接电路介绍 元件造成损坏,甚至引发火灾等安全事故。因此,设计一个有效的电源防反接电路对于确保电子设备的安全运行至关重要。 电源防反接电路的核心原理是利用半导体元件的特性,如二极管、MOSFET等,来实现对电流方向的控制。当电源正 2024-02-02 16:22:30 ...
电源反接时:Ugs=0.MOSFET不会导通,和负载回路是断开的,从而保证电路安全。 图4 如图五所示的是有PMOS构成的反接保护。 正确连接:刚上电,MOS管的寄生二极管导通,电源与负载形成回路,所以S极电位就是Vz-0.6V,而G极是0V,PMOS导通,从D流向S的电流把二极管短路。 电源反接时:G是高电平,PMOS不导通,保护电路安全。
本文设计我们采用N-MOSFET进行电源防反接保护。 (1) 二极管防反接电路原理 图1 二极管防反接电路原理图 从图1可以看出,利用二极管D1的单向导通特性,实现防反接功能,这种方法简单、安全可靠、成本低廉,但是负载Rlo(ad)两端的电压较输入电压Vin少了一个二极管D1的电压,并且负载不能太大((电阻)不能太小),否则有...
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专利名称 一种MOSFET管防反接电路 申请号 2014204632203 申请日期 2014-08-18 公布/公告号 CN204156524U 公布/公告日期 2015-02-11 发明人 周厚明,程峰 专利申请人 武汉迈威光电技术有限公司 专利代理人 - 专利代理机构 - 专利类型 实用新型 主分类号 H02H11/00(2006.01)I 住所 湖北省武汉市东湖开发区光谷大道...
摘要 本实用新型公开了一种基于N‑MOSFET的直流输入防反接电路,包括在直流输入端口处正极母线上串联的一颗N沟道增强型场效应管N‑MOSFET,所述直流输入的电流方向由N‑MOSFET的源极指向漏极,所述N‑MOSFET的栅极连接有栅极驱动电源。所述N‑MOSFET的漏源耐压VDS高于直流输入最高电压设定的一定裕量。所述栅极...
满足负向浪涌要求的直流防反接电路 本发明实施例提供一种满足负向浪涌要求的直流防反接电路.该电路包括:MOSFET,第一电阻,第二电阻,三极管,第一二极管;第一电阻的一端与MOSFET的漏极电连接;第一电阻的另一端与三极管的基极电连接;三极管的发射极与MOSFET的源极电连接;三极管的集电极与第一二... 田新宝,张建利,王...
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