MIM电容(Metal-Insulator-Metal):MIM电容相当于一个平行板电容,最顶层二层金属间距较大,形成的电容容值很小,MIM电容一般由最顶层二层金属和中间特殊的金属层构成,MIM电容结构如下,CTM和Mt-1中间的介质层比较薄,形成的电容密度较高,且在顶层,寄生较小,精度高。 MIM电容主要利用不同层金属和他们之间的介质形成电容。
这说明在此面积下,MIM 电容的电容密度对频率不敏感,而MOM受频率的影响则比较大。所以我们通常说 MOM 稳定性不如 MIM 指的是频率的稳定性。如下图: 自谐振频率随面积的变化: MOM电容和 MIM 电容的自谐振频率会随着面积的增大而减小,并逐渐趋于稳定。同时 MOM 电容具有相对较高和稳定的自谐振频率。 品质因数: ...
MOM 电容比MIM电容的Q值大。3、形成不同：（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。4、cap不同：（1）、MOM是fringe cap为主。（2）、MIM是平板cap为主。
MIM 电容 : 类似于平板电容器,电容值更准确,电容值不会随着偏压而变化。mTOP l & mTOP -1 电容值可用于上级板面积*估算单位容值,上下极板接法不能互换,一般用于analog,RF工艺。 相同面积的三个电容,电容值 MIM<MOM,MIM约是1/3 MOS电容值. MOM电容的优点是不需要额外的额外优点mask,MIM需要额外mask实现和...
mom电容: 下图是mom电容,型号是cap_mom_hv,mom电容是被做成“插指”结构了。一端为正,另一端为负。而且,在东部工艺库中cap_mom_hv电容,不仅在metal1层有电容,metal2也有电容,metal1的正极和metal2的正极通过过孔连接,metal1的负极和metal2的负极也是通过负极连接。如下面三幅图显示: ...
MIM电容和MOM电容在结构、形成方式、Q值、应用领域以及绝缘层材料方面存在差异。1. 结构不同:尽管两者都是由两个金属电极之间夹着一层绝缘层组成,但MOM电容是利用同层金属边沿之间的C,可以多层金属叠加。而MIM电容是利用上下两层金属之间的C,即极板电容,下极板为Mn,上极板为Mn+1。2. 形成方式不同:MOM是使用用来...
MOM电容(Metal-Oxide-Metal):MOM电容一般是金属连线形成的插指电容,结构如下,随着工艺技术的进步,金属线可以靠的更近,同时会有很多金属层可以用,因此这种结构的电容密度在先进工艺下会较大,使用更多。 与MIM电容不同,MOM电容是主要利用同层金属的插指结构来构建电容。
1、产生方式不同：（1）、MOM 电容：MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。（2）、MIM电容：MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。MIM会引入一...
MOM电容(Metal-Oxide-Metal):MOM电容一般是金属连线形成的插指电容,结构如下,随着工艺技术的进步,金属线可以靠的更近,同时会有很多金属层可以用,因此这种结构的电容密度在先进工艺下会较大,使用更多。 与MIM电容不同,MOM电容是主要利用同层金属的插指结构来构建电容。
1、产生方式不同：（1）、MOM 电容：MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。（2）、MIM电容：MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。MIM会引入一...