专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法。该MIM电容器包括：多个沟槽，该多个沟槽在硅(Si)基板中；多孔Si表面，该多孔Si表面形成在该多个沟槽中，其中该多孔Si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表面；氧化物层，该氧化物层保形地设置在该多孔Si表面上；...
金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 (57)摘要 一种形成具有铜顶板和铜底板的金属‑绝缘 体‑金属(MIM)电容器的方法可以开始于铜互连 层(例如,Cu MTOP),该铜互连层包括限定该电容 器底板的铜结构。在该底板上形成钝化区,并且 在钝化区中蚀刻宽顶板开口,以使该底板暴露。
集成电路(IC)器件包括金属‑绝缘体‑ 金属(MIM)电容器,该电容器具有顶部电极极板、 底部电极极板、以及在顶部电极极板和底部电极 极板之间的多个中间电极极板。多个电介质层可 以将MIM电容器的每个电极极板与MIM电容器的 相邻极板分开。每个中间电极极板的厚度可以大 于顶部电极极板和底部电极极板的厚度。通过在 ...
高电压金属绝缘体金属(MIM)电容器 本文描述了高电压金属绝缘体金属电容器.在示例中,一种电容器包括第一电极板和位于第一电极板上的第一电容器电介质.第二电极板位于第一电容器电介质上,并且位于第一电... H·W·田,M·拉多萨夫列维奇 被引量: 0发表: 2023年 射频集成电路用高性能金属—绝缘体—金属电容...
1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括: 电容器底部金属(CBM)电极,设置在半导体衬底上方; 高k介电层,设置在所述CBM电极上方; 电容器顶部金属(CTM)电极,设置在所述高k介电层上方;以及 伪结构,垂直地设置在所述高k介电层上方并且与所述CTM电极横向分隔开,其中,所述伪结构包括具有与所述CTM电极相同的材料...
1.一种包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体结构,包括:第一金属化层,与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面;所述MIM电容器包括:复合电容器底部金属(CBM)电极,包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层;介电层,布置在所述复合电容器底部金属电极上方;以及复合电容器顶部金属(CTM)电极,布置...
金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的第一板设置在该第一顶部接触件下方并且电耦合到该第一顶部接触件。该MIM电容器的第一绝缘体设置在该第一板上。该MIM电容器的第二板设置在该第一绝缘体上并且电耦合到该第二顶部接触件。该MIM电容器的第二绝缘体设置在该第二板上。该MIM电容器的第三板设置在该第二绝缘体...
MIM电容环是环状的MIM电容器结构。 如图2所示,为一实施例的金属-绝缘体-金属电容器结构的制作方法流程图。该方法包括如下步骤。 步骤S101:依次制作底部金属层100、介电层200和顶部金属层300。底部金属层100、介电层200和顶部金属层300的制作工艺均可采用淀积工艺。参考图3,所述底部金属层100厚度为3000~5000埃,优选...
本发明描述了一种具有包含多个金属氧化物层的绝缘体堆叠体的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。例如,用于半导体器件的MIM电容器包括设置于电介质层中的沟槽,所述电介质层设置于衬底上方。沿着沟槽的底部和侧壁设置第一金属板。绝缘体堆叠体设置于第一金属板上方并与第一金属板共形。绝缘体堆叠体包括具有第一介电常数的...