系统标签: 电容器 mim 绝缘体 金属 介电层 键合焊盘 (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(43)申请公布日(21)申请号202080078834.8(22)申请日2020.08.24(30)优先权数据62/980,4852020.02.24US16/999,3582020.08.21US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.05.12(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US...
摘要 本发明公开一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器,包含一半导体基底,其上具有一导体层;一介电层,覆盖所述半导体基底和所述导体层;一第一电容器电极,设置在所述介电层上,其中从上方观察时,所述第一电容器电极与所述导体层部分重叠;一电容器介电层,设置在所述第一电容器电极上;一第二电容器电极,设置在...
专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法。该MIM电容器包括：多个沟槽，该多个沟槽在硅(Si)基板中；多孔Si表面，该多孔Si表面形成在该多个沟槽中，其中该多孔Si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表面；氧化物层，该氧化物层保形地设置在该多孔Si表面上；...
金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的第一板设置在该第一顶部接触件下方并且电耦合到该第一顶部接触件。该MIM电容器的第一绝缘体设置在该第一板上。该MIM电容器的第二板设置在该第一绝缘体上并且电耦合到该第二顶部接触件。该MIM电容器的第二绝缘体设置在该第二板上。该MIM电容器的第三板设置在该第二绝缘体...
本发明涉及一种MIM电容器,该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层,以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方,并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二...
1.一种包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体结构,包括:第一金属化层,与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面;所述MIM电容器包括:复合电容器底部金属(CBM)电极,包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层;介电层,布置在所述复合电容器底部金属电极上方;以及复合电容器顶部金属(CTM)电极,布置...
集成电路(IC)器件包括金属‑绝缘体‑ 金属(MIM)电容器,该电容器具有顶部电极极板、 底部电极极板、以及在顶部电极极板和底部电极 极板之间的多个中间电极极板。多个电介质层可 以将MIM电容器的每个电极极板与MIM电容器的 相邻极板分开。每个中间电极极板的厚度可以大 于顶部电极极板和底部电极极板的厚度。通过在 ...
制造方法,其中,制造方法包括:将本层金属互连层中的金属层间介质刻蚀为U型沟槽后,在所述U型沟槽内及未刻蚀的金属层间介质上依次沉积作为金属-绝缘体-金属MIM电容器下电极板的第一金属层、电介质层及作为MIM电容器上电极板的第二金属层;依次刻蚀第二金属层、电介质层及第一金属层后,形成U型管沟状的MIM电容器。
MIM电容器通过接触栓塞(contact plug)可以连接到外围金属互连层或晶体管的漏极区(drain region)。可以围绕MIM电容器形成与金属互连层互连的互连结构。该互连结构可以是通过接触栓塞(例如,钨栓塞)在上部金属互连层和下部金属互连层之间互连的结构。 铜可以有利地用作用于增加半导体器件的速度的金属互连材料。由于铜互连具...
专利名称 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 申请号 2007100402368 申请日期 2007-04-24 公布/公告号 CN100539016 公布/公告日期 2009-09-09 发明人 宁先捷 专利申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 专利代理人 逯长明 专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 专利...