MIM二极管采用“金属-绝缘体-金属”结构,其中绝缘体层通常采用NiOx、AlOx等材料。制备MIM二极管的关键在于金属接点的制备,传统的金属接点制备方法存在接触面积小、接触电阻大等问题,而MIM二极管采用的“非晶态金属接点”工艺则解决了这些问题...
值得关注的是,课题组将双层金属有机框架(MOFs-on-MOFs)结构配置为 MIM 谐振器的绝缘体,形成了金属-绝缘体-绝缘体-金属(MIIM)谐振器。与 MIM 谐振器相比,MIIM 谐振器可以将特定分析物的选择性提高到 92%,实现了对化学气体分子的选择性传感,并且具有较高的耐久性。 审稿人一致认为,该工作探索并开发了一种新型...
在一些实施例中,MIM 电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属 (CBM)电极。MIM电容器具有设置在 CBM 电极上方的高 k电介质和布置在高 k 介电层上方的电容器顶部金属 (CTM) 电极。MIM 电容器具有垂直地设置在高k 介电层上方并且与 CTM 电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与 CTM 电极相同的材料的...
利用金属-绝缘体-金属(MIM)纳米腔的ENZ模式调制系统的线性光子吸收,以实现特定波长下反射率的非简并全光超快调制。 由于局域介电函数的瞬时增加,系统在高能ENZ模式下的光泵浦导致低能模式的红移很强,从而在特定波长下对反射率进行亚3ps的控制,相对调制深度接近120%。
高通公司申请高密度硅基电容器专利，该专利技术能实现具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法 金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“高密度硅基电容器“，公开号CN117981501A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑...
在所述衬底和所述绝缘层上形成第二导电材料层；湿法刻蚀部分所述第二导电材料层使得剩余的所述第二导电材料层在所述绝缘层上形成顶电极层。本发明避免在形成MIM电容的侧壁上引入再沉积缺陷，以及在MIM电容的表面引入图案负载效应，从而有效保障形成MIM电容的电容密度和结构可靠性。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
1、一种金属-绝缘体-金属(mim)电容器,该金属-绝缘体-金属(mim)电容器包括:底部电极;绝缘体杯,该绝缘体杯形成在该底部电极上;顶部电极,该顶部电极形成在由该绝缘体杯限定的开口中;顶部电极连接元件,该顶部电极连接元件电连接到该顶部电极;竖直延伸的底部电极接触件,该竖直延伸的底部电极接触件电连接到该底部电极...
本发明避免在形成MIM电容的侧壁上引入再沉积缺陷,以及在MIM电容的表面引入图案负载效应,从而有效保障形成MIM电容的电容密度和结构可靠性。 本文源自:金融界 作者:情报员
这一新型金属-绝缘体-金属电容(MIM电容)的形成过程涉及多个关键步骤,包括在衬底上依次形成导电材料层和绝缘材料层,并通过湿法刻蚀技术来精确控制电容结构。这一创新工艺能够避免在电容侧壁引入再沉积缺陷,同时减小图案负载效应,从而确保电容在高频应用中的稳定性和可靠性。此项技术的成功应用,将为更高性能的半导体产品提...
1、集成电容器是模拟/混合信号/rf-cmos电路中的关键模拟部件。两种类型的集成电容器是mom(金属-氧化物-金属侧向通量)电容器和mim(金属-绝缘体-金属)电容器,每种类型的集成电容器都具有各自的优点和缺点。 2、在典型的mom电容器中,电容器板(电极)由形成在一个或多个金属层(例如,多个互连层)上的侧向相邻的金属...