(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100专利代理师蔡悦(51)Int.Cl.H01L49/02(2006.01)H01L23/522(2006.01)(54)发明名称金属-绝缘体-金属(MIM)电容器(57)摘要一种形成具有铜顶板和铜底板的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法可以开始于铜互连层(例如,Cu MTOP),该铜互连层包括限定该电容器...
MIM二极管采用“金属-绝缘体-金属”结构,其中绝缘体层通常采用NiOx、AlOx等材料。制备MIM二极管的关键在于金属接点的制备,传统的金属接点制备方法存在接触面积小、接触电阻大等问题,而MIM二极管采用的“非晶态金属接点”工艺则解决了这些问题...
1、一种金属-绝缘体-金属(mim)电容器,该金属-绝缘体-金属(mim)电容器包括:底部电极;绝缘体杯,该绝缘体杯形成在该底部电极上;顶部电极,该顶部电极形成在由该绝缘体杯限定的开口中;顶部电极连接元件,该顶部电极连接元件电连接到该顶部电极;竖直延伸的底部电极接触件,该竖直延伸的底部电极接触件电连接到该底部电极;...
MIM二极管广义为包括位于两层传导性材料(不一定是金属)之间的绝缘或半导体材料层的开关装置。通常,MIM装置不包括除这三层之外的任何其他层;但是,这不是必然的情况。不论具体结构如何,制造特定小型化水平的MIM装置可能依然是费力且昂贵的过程。通常,MIM装置使用集成电路工业中采用.的技术来制造,需要昂贵的设备和费力的...
1、金属-绝缘体-金属(mim)电容器是由金属顶部电极、金属底部电极和夹置在两个电极之间的绝缘体(电介质)构造的电容器。 2、mim电容器是许多电路、例如许多模拟、混合信号和射频互补金属氧化物半导体(rf cmos)电路中的重要部件。mim电容器通常提供比诸如pop(聚合-氧化物-聚合)电容器和mom(金属-氧化物-金属横向通量...
[0004] 一种类型的电容器是金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,其用于混合信号器件和 逻辑器件中,诸如嵌入式存储器和射频器件。金属_绝缘体_金属电容器用于在各种半导 体器件中储存电荷。金属_绝缘体-金属电容器水平地形成在半导体晶圆上,并且中间夹 设介电层的两个金属板平行于晶圆表面。然而,存在与MM电容器相关的多...
利用金属-绝缘体-金属(MIM)纳米腔的ENZ模式调制系统的线性光子吸收,以实现特定波长下反射率的非简并全光超快调制。 由于局域介电函数的瞬时增加,系统在高能ENZ模式下的光泵浦导致低能模式的红移很强,从而在特定波长下对反射率进行亚3ps的控制,相对调制深度接近120%。
本发明涉及一种MIM电容器,该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层,以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方,并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二...
1.一种包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体结构,包括:第一金属化层,与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面;所述MIM电容器包括:复合电容器底部金属(CBM)电极,包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层;介电层,布置在所述复合电容器底部金属电极上方;以及复合电容器顶部金属(CTM)电极,布置...
高通公司申请高密度硅基电容器专利，该专利技术能实现具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法 金融界2024年5月6日消息，据国家知识产权局公告，高通股份有限公司申请一项名为“高密度硅基电容器“，公开号CN117981501A，申请日期为2022年8月。专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑...