8.集成电路中“金属-绝缘体-金属”电容器结构的制造方法,包括下电极金属、上电极金属、上层互连金属、下电极金属与上电极金属之间的MIM介质、上电极金属与上层互连金属之间的绝缘介质以及上通孔的设置工序,其特征在于首先,下电极金属淀积之后,按照光照版图对其蚀刻,构成网格状和/或条形状的下电极金属,使之增加垂直方向...
由变换光学设计的绝缘体-金属-绝缘体表面等离激元波导中的模式转换器,波导同轴转换器,波导光学,傅里叶变换红外光谱学,变换光学,光学傅里叶变换,傅里叶变换光学系统,pdf转换成word转换器,繁体字转换器,狸窝全能视频转换器 文档格式: .pdf 文档大小: 1023.5K ...
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该结构具有第一电极,包含一磁矩为第一方向的磁性金属;以及第二电极,包含一磁矩为第二方向的磁性金属,其中第一方向与第二方向是反向平行.此外,更包括接触第一电极与第二电极的介电层,此介电层隔开第一电极与第二电极.本发明所述的金属-绝缘体-金属结构及其形成方法,可避免介电层的漏电流,并可增加MIM结构的电容...
介绍了一种基于原子层淀积(ALD)方法生长的高密度二氧化铪金属-绝缘体-金属(MIM)电容,获得的电容密度达到了9.76fF/μm2,漏电流在1V时处于～10-8A/cm2量级,电压系数(VCC)为1260 ppm/V2.深入研究表明,电压系数随着频率上升而下降,并且存在指数关系;采用不同功函数作为两电极的MIM电容会呈现出正、反偏置不同漏...
制造金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法 描述了贵金属衬垫和金属绝缘体金属(MIM)电容器(MIMCAP)及其制造方法.MIM电容器包括由贵金属薄层或膜形成的衬垫,其厚度仅为几纳米,例如厚度在约0.5nm至约5nm或更大的范围内.在诸如MIM电容器的成品器件中,贵金属衬垫夹在较厚的电极和绝缘体之间,例如高或超高... A.莱昂...