(2006.01)(71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司地址 中国台湾新竹(72)发明人 谢静佩 徐晨祐 刘世昌(74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409代理人 章社杲 李伟(54) 发明名称金属 - 绝缘体 - 金属(MIM)电容器和形成方法(57) 摘要本发明涉及金属 - 绝缘体 - 金属 (MIM) 电容器和形成...
专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法。该MIM电容器包括：多个沟槽，该多个沟槽在硅(Si)基板中；多孔Si表面，该多孔Si表面形成在该多个沟槽中，其中该多孔Si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表面；氧化物层，该氧化物层保形地设置在该多孔Si表面上；...
金属绝缘体金属(MIM)电容器 (19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202180049418.X(22)申请日 2021.07.23(30)优先权数据63/072814 2020.08.31 US63/072822 2020.08.31 US17/129858 2020.12.21 US(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.10(86)PCT国际申请的申请数据PC...
1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括: 电容器底部金属(CBM)电极,设置在半导体衬底上方; 高k介电层,设置在所述CBM电极上方; 电容器顶部金属(CTM)电极,设置在所述高k介电层上方;以及 伪结构,垂直地设置在所述高k介电层上方并且与所述CTM电极横向分隔开,其中,所述伪结构包括具有与所述CTM电极相同的材料...
商标事务所有限公 司31100 专利代理师蔡悦 (51)Int.Cl. H01L49/02(2006.01) H01L23/522(2006.01) (54)发明名称 金属-绝缘体-金属(MIM)电容器 (57)摘要 一种形成具有铜顶板和铜底板的金属‑绝缘 体‑金属(MIM)电容器的方法可以开始于铜互连 层(例如,Cu MTOP),该铜互连层包括限定该电容 器底板的...
1.一种包括金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的半导体结构,包括:第一金属化层,与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面;所述MIM电容器包括:复合电容器底部金属(CBM)电极,包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层;介电层,布置在所述复合电容器底部金属电极上方;以及复合电容器顶部金属(CTM)电极,布置...
专利权项:1.一种包括金属-绝缘体-金属MIM电容器的半导体结构,包括:第一金属化层,与所述MIM电容器横向隔开并且具有低于所述MIM电容器的顶面;所述MIM电容器包括:复合电容器底部金属CBM电极,包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层;介电层,布置在所述复合电容器底部金属电极上方;以及复合电容器顶部金属CTM电极,布置在...
本发明描述了一种具有包含多个金属氧化物层的绝缘体堆叠体的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。例如,用于半导体器件的MIM电容器包括设置于电介质层中的沟槽,所述电介质层设置于衬底上方。沿着沟槽的底部和侧壁设置第一金属板。绝缘体堆叠体设置于第一金属板上方并与第一金属板共形。绝缘体堆叠体包括具有第一介电常数的...
1、一种金属-绝缘体-金属(mim)电容器,该金属-绝缘体-金属(mim)电容器包括:底部电极;绝缘体杯,该绝缘体杯形成在该底部电极上;顶部电极,该顶部电极形成在由该绝缘体杯限定的开口中;顶部电极连接元件,该顶部电极连接元件电连接到该顶部电极;竖直延伸的底部电极接触件,该竖直延伸的底部电极接触件电连接到该底部电极...
1、集成电容器是模拟/混合信号/rf-cmos电路中的关键模拟部件。两种类型的集成电容器是mom(金属-氧化物-金属侧向通量)电容器和mim(金属-绝缘体-金属)电容器,每种类型的集成电容器都具有各自的优点和缺点。 2、在典型的mom电容器中,电容器板(电极)由形成在一个或多个金属层(例如,多个互连层)上的侧向相邻的金属...