(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司31100专利代理师蔡悦(51)Int.Cl.H01L49/02(2006.01)H01L23/522(2006.01)(54)发明名称金属-绝缘体-金属(MIM)电容器(57)摘要一种形成具有铜顶板和铜底板的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的方法可以开始于铜互连层(例如,Cu MTOP),该铜互连层包括限定该电容器...
专利摘要显示，公开了具有金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器的设备和用于制造该设备的方法。该MIM电容器包括：多个沟槽，该多个沟槽在硅(Si)基板中；多孔Si表面，该多孔Si表面形成在该多个沟槽中，其中该多孔Si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表面；氧化物层，该氧化物层保形地设置在该多孔Si表面上；...
本发明涉及一种MIM电容器,该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层,以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方,并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二...
金属-绝缘体-金属电容器结构包括衬底。MIM电容器结构还包括形成在衬底上的CBM层,并且CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。MIM电容器结构还包括形成在CBM层上的第一高k介电层、形成在第一高k介电层上的绝缘层和形成在绝缘层上的第二高k介电层。MIM电容器结构还包括形成在第二高k介电层上的CTM层,...
1.一种在集成电路(10)中制作金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结\r\r\r\r\n构的方法,该方法包括:\r\r\r\r\n(a)在集成电路(10)中制作MIM电容器结构(12)的第一和第二腿\r\r\r\r\n(14),第一和第二腿(14)彼此大致平行地延伸并在二者之间限定沟\r\r\r\r\n道(18),每个腿(14)包括顶部和底部电...
优化高性能计算应用,对于<0.65V的低电压和>1.1V高电压,均可有效支持运行。 intel 4 的 iso 功率性能提高20% 以上。 MIM(金属-绝缘体-金属),即高密度电容器,使得供电性能更优越; 另,据悉Intel 3 工艺,将在 2023 年下半年就绪。 #数码好物分享数码想法创作大赛 ...
1、金属-绝缘体-金属(mim)电容器是由金属顶部电极、金属底部电极和夹置在两个电极之间的绝缘体(电介质)构造的电容器。 2、mim电容器是许多电路、例如许多模拟、混合信号和射频互补金属氧化物半导体(rf cmos)电路中的重要部件。mim电容器通常提供比诸如pop(聚合-氧化物-聚合)电容器和mom(金属-氧化物-金属横向通量...
1、一种金属-绝缘体-金属(mim)电容器,该金属-绝缘体-金属(mim)电容器包括:底部电极;绝缘体杯,该绝缘体杯形成在该底部电极上;顶部电极,该顶部电极形成在由该绝缘体杯限定的开口中;顶部电极连接元件,该顶部电极连接元件电连接到该顶部电极;竖直延伸的底部电极接触件,该竖直延伸的底部电极接触件电连接到该底部电极...
MIM电容器结构150a是夹层结构,并且在电容器底部金属(CBM)层152和电容器顶部金属(CTM)层158之间形成绝缘层154。[0047]如图1所示,在M頂区11中,在MD层122中形成通孔116中的一个以电连接CBM层152,并且在MD层122中形成通孔116中的一个以电连接CTM层158。在非MM区中,在MD层122中形成通孔116中的一个以电连接...
金属_绝缘体_金属电容器用于在各种半导 体器件中储存电荷。金属_绝缘体-金属电容器水平地形成在半导体晶圆上,并且中间夹 设介电层的两个金属板平行于晶圆表面。然而,存在与MM电容器相关的多种挑战。【发明内容】[0005] 为解决现有技术中存在的缺陷,提供了一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结 构,包括:衬底;以及...