另一方面,对于外围晶体管,重点是实现工艺尺寸微缩以提高性能。 栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成,在晶体管开关功能中发挥主要作用。栅氧化层由SiON氧化物绝缘体和聚硅基电极组成。随着晶体管微缩的提升,源极1)和漏极2)之间的距离越来越近,电流移动速度加快,但施加在栅极上...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 中国半导体论坛 振兴国产半导体产业! 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探...
SK海力士通过将HKMG工艺整合为适用于DRAM工艺的形式,进行了平台开发。尽管面临极端的技术挑战,但公司通过识别与DRAM流相互作用相关的任何潜在风险,并通过包括试点操作在内的预验证工艺来确保解决方案,成功开发和批量生产HKMG。公司的目标是通过推进从SiON/Poly栅极到升级构件HKMG的过渡,为下一代技术节点和产品带来卓越的技...
随着技术的进步,单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。另一方面,对于外围晶体管,重点是实现工艺尺寸微缩以提高性能。 栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成,在晶体管开关功能中发挥主要作用。栅氧化层由SiON氧化物绝缘体和聚硅基电极组成。随着晶体管...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
这使SiO2栅介质必须非常薄(例如在65 nm工艺中为10.5-12A, 只有4个原子层厚)。当小于这样的厚度时,栅泄漏将增加到不可接受的程度,使传统的按比例尺寸缩小不再能继续下去。我们知道简单的SiO2的介电常数k =3.9。根据等式COX = EOX / TOX,如果能找到具有较大介电常数的材料,那么栅就可以采用较厚的介质,得到高...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...
随着技术的进步,单元电容器和单元晶体管在提高DRAM存储容量方面取得了一些技术突破。另一方面,对于外围晶体管,重点是实现工艺尺寸微缩以提高性能。 栅极由绝缘膜(栅氧化层, gate oxide)和电极(栅电极, gate electrode)组成,在晶体管开关功能中发挥主要作用。栅氧化层由SiON氧化物绝缘体和聚硅基电极组成。随着晶体管...