但由于ALD的沉积速率较慢,综合考虑速率、性能等指标,ALD仍无法完全替代LPCVD/PECVD方法。 MOCVD设备 MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition),金属有机化合物化学气相沉积,工艺流程上与传统的高温LPCVD差异较小,沉积温度在400-2000℃区间,通常以氮气或氢气为载气、氮气等惰性气体
APCVD://常压化学气相淀积 HDPCVD://高密度等离子体化学气相淀积 LPCVD://低压化学气相淀积 PECVD://等离子体增强化学气相淀积 PVD://物理气相淀积 BJT:双极型晶体管 CD://关键尺寸 CMOS:互补金属氧化物半导体 CMP:化学机械平坦化 MIC://可动离子玷污 ILD://层间介质 MBE://分子束外延 SOI:绝缘体上硅 DUV:...
MPCVD PECVD、HDPCVD、PE-ALD ALD MOCVD LPCVD PVD、CVD、ALD PECVD、PVD PECVD、CVD
百度试题 题目有哪些化学气相沉积的方法? A.APCVDB.PECVDC.MOCVDD.LPCVD相关知识点: 试题来源: 解析 ABCD 反馈 收藏
根据Maximize Market Research数据,2021年全球薄膜沉积市场规模为190亿美元,CAGR15.7%,2025年预计达到340亿美元。根据LPCVD在薄膜沉积设备中约占11%规模估计,LPCVD全球市场规模2021年约20亿美元,2025年约为37.4亿美元。 PECVD设备 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),等离子增强化学气相沉积法,是在反应腔内通...