超Low-k介质的"k"指的是材料的介电常数,介电常数越低,电场在材料中传播得越快,从而减少了信号延迟。同时,由于介电常数较低,电容器和互连之间的漏电流减少,从而降低了功耗。使用超Low-k介质可以制造更小、更密集的电路,从而提高集成度。 二、超Low-k介质的...
工程上根据k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,...
沉积晶圆通量是晶圆厂 FAB 效率的关键指标之一, 也是晶圆厂 FAB 不断改进以降低每次移动成本和减少资本支出的关键指标. 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪提供腔室清洁终点检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒污染的同时, 缩短了生产时间.low-k 电介质沉积需要...
k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常 数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定 为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO ...
互连金属线用Cu 代替Al (含015%Cu ),层间及线间介质用low 2k 材料代替S iO 2以及线及线间,层及层间的几何尺寸、工艺、材料等对电性能和热性能影响的模拟和优化设计是当今为解决该瓶颈问题的三项主要技术努力.介电常数低于S iO 2的low 2k 介质材料的介电常数K low 2k 范围为K air ≤K low 2k ≤K ...
高阶分析:芯片速度的革命《Cu互连和Low-K介质》 2016-05-14小桂中国半导体论坛 做半导体的永远都是在围绕摩尔定律(Moore'sLaw),不是只有deviceshrink 和scalingdown,还有后段的互连。对于user来讲,影响芯片主要的性能的一 个就是功耗,还有一个就是速度。功耗当然就是要靠降低电压和漏电来解决,那 速度呢?要么靠器...
k介质硅晶圆切割产生的崩裂,同时控制其他相应问题的产生,通过分别对主要参数的优化验证,找到最佳工艺生产条件.本文在切割工艺分析,失效机制研究的基础上,找出了影响Low-k介质硅晶圆切割崩裂的主要原因.在此基础上有针对性的进行优化实验,确定了合适的工艺条件和范围,解决了Low-k介质硅晶圆的崩裂问题,达到了达到了确保...
Low-K介质与Cu互连技术在新型布线系统中的应用前景
互连线系统已经成为发展高速,高性能,高密度集成电路的瓶颈.将低介电常数介质(low-k)集成到ULSI互连系统中是当前解决此瓶颈问题的主要研究方向.准确界定low-k介质薄膜的硬度特性是解决low-k介质互连面临的机械方面挑战的关键.激光产生超声表面波(Laser Generated Surface Acoustic Waves,LSAWs)探测技术由于其快速,准确...
对于Cu互连系统而言,Cu的可靠性只是一个重要方面,它还包括Low-k介质层、Cu与介质层的集成等可靠性问题。 不过,双大马士革工艺(Dual Dama scene)和CMP技术的出现使得Cu互连工艺得到了突破性的发展。 近年来,Yos Shacham-Diamand等人提出了银(Ag)互连技术[8]。在相互传输延迟的性能方面,采用Ag比Cu互连导电材料有7%...