所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50 nm CMOS器件要求k >20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减...
k指的是介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-k)材料和高介电(high-k)材料。一般low-k材料介电常数低于3.0;high-k材料是相对于SiO2而言,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-k材料。 为什么要采用high-k材料? 随着工艺尺寸的减小,栅极介质厚度不断减薄,电子直接隧...
High-K和Low-K电介质材料 不同电介质的介电常数k相差很大,真空的k值为1,在所有材料中最低; 空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.5～3.5;纯净水的k值为81。工程上根据 k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常 ...
常见的超Low-k介质材料包括碳掺杂的二氧化硅(CDO)、氟硅酸盐玻璃(FSG)和有机聚合物等。其中,CDO是一种新型的超Low-k介质材料,具有优异的机械性能和稳定性能,是目前应用最广泛的超Low-k介质材料之一。 四、结语 超Low-k介质是半导体制造中的重要材料,具有降低...
互连金属线用Cu 代替Al (含015%Cu ),层间及线间介质用low 2k 材料代替S iO 2以及线及线间,层及层间的几何尺寸、工艺、材料等对电性能和热性能影响的模拟和优化设计是当今为解决该瓶颈问题的三项主要技术努力.介电常数低于S iO 2的low 2k 介质材料的介电常数K low 2k 范围为K air ≤K low 2k ≤K ...
互连线系统已经成为发展高速,高性能,高密度集成电路的瓶颈.将低介电常数介质(low-k)集成到ULSI互连系统中是当前解决此瓶颈问题的主要研究方向.准确界定low-k介质薄膜... 白茂森 - 天津大学 被引量: 3发表: 0年 Plasma processing of low-k dielectrics This paper presents an in-depth overview of the presen...
(3)Low-k介质硅晶圆切割的工艺优化为了解决Low-k介质硅晶圆切割产生的崩裂,同时控制其他相应问题的产生,通过分别对主要参数的优化验证,找到最佳工艺生产条件.本文在切割工艺分析,失效机制研究的基础上,找出了影响Low-k介质硅晶圆切割崩裂的主要原因.在此基础上有针对性的进行优化实验,确定了合适的工艺条件和范围,解决...
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景. 内容分析 关键词云 HSQNPSPECVDUISI介电常数介质低介电常数材料层间无机介质有机聚合物有机聚合物介质极大规模集成电路淀积介质工艺热稳定性电性能电膜研究进展空气...
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景. 著录项 来源 《电子学报》 |2000年第11期|84-8795|共5页 作者 阮刚; 肖夏; 朱兆旻; 作者单位 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200...
Atonarp 在线质谱仪提高 low-k 电介质沉积的吞吐量 沉积晶圆通量是晶圆厂 FAB 效率的关键指标之一, 也是晶圆厂 FAB 不断改进以降低每次移动成本和减少资本支出的关键指标. 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱仪提供腔室清洁终点检测方案已成功应用于 low-k 电介质沉积应用 ( 特别是氮化硅 Si3N4 ), 在减少颗粒...