晶体管用作开关时有两种不同的接线方式:高边(high side)和低边(low side)。高边和低边是由晶体管在电路中的位置决定的。晶体管可以是双极性晶体管(BJT)或者场效应管(MOSFET)。 1. 低边晶体管电路 低边开关,晶体管接地,也就是说晶体管在负载和地之间。由于晶体管正在开关接地线路或位于负载的低电压端,因此...
Low current MOSFET Low voltage MOSFET SGT MOSFET VDMOS Product Package Type Vds Vgs ESD Id(Max) Vth Ron(mΩ) V Vgs=10V Vgs=4.5V V V A Min Typ Max Typ Max Typ Max 2N7002 SOT-23 N 60 20 NO 0.3 1 1.5 2.5 1100 3000 1400 4000 2N7002DW SOT-363 D-N 60 20 NO 0.23 1 ...
LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤28mΩ@VGS=10V,ID=5.8A For PWM application For Load switch application Surface Mount device MECHANICAL DATA Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability ...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 FET 类型: P 通道 漏源电压(Vdss): 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA Vgs(最大值): ±20V 功率耗散(最大值): 1.6W(Ta) 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面...
Low Voltage MOSFET Part No. Type VDSS V VGS V VTH VTH Min Max V V IDS 25°C A RDS (on) (MAX) 10V 4.5V 2.5V 1.8V 1.2 mΩ mΩ mΩ mΩ mΩ PD 25°C W Package AMS2300 N 20 12 0.4 1.0 6.0 22 36 45 60 - 1.25 SOT-23-3L AMS23000SRG N 20 12 0.4 1.2...
SiC MOSFETSiC DiodeIGBTSiliup provide series of low-voltage MOSFETs, with breakdown voltage selection range from -60V to 100V and current selection range from 3.5A to 150A. The package types includes TO-252, DFN2*2, DFN3*3, DFN5*6 and SOP-8, providing customers with more and better ...
ID (A)@TA=25℃ PD (W)@TA=25℃ VGS (V) VGS(th)(V) (Typ.) Data sheet WM03N115A N-Channel Trench MOSFET SOP-8 30 0.0115 11.5 3 12 1.7 WM02N31M N-Channel Trench MOSFET SOT-23 20 / 3.1 0.35 12 0.9 WM02N70M N-Channel Trench MOSFET SOT-23 20 0.02 7 2 12 0.65 WM02N50...
DIODES DMG7401SFGQ-13 MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss ￥1.10 本店由淘IC(深圳)运营支持 获取底价 深圳市明鑫实业电子有限公司 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 TI 封装 QFN20 批号 21+ 数量 14560 制造商 Texas Instruments ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: ThroughHole 封装/箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1Channel Vds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流: 75A RdsOn-漏源导通电阻: 34mOhms Vgs-栅极-源极电压: 20V 最小工作温度: -50C 最大工作温度: +150C Pd-功率耗散...
0.148克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型2个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)13.5A 导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V,8A 耗散功率(Pd)3.1W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th))3V 栅极电荷量(Qg)37nC@10V ...