如图1所示,是现有RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构示意图;图1中显示了两个MOS电容,分别代表大电容密度和小电容密度的MOS电容,两个MOS电容采用相同的N型重掺杂的硅衬底101,小电容密度的MOS电容的电容介质层由较厚的氧化硅层103组成,氧化硅层103越厚,对应的MOS电容的电容密度越小;大电容密度的MOS电容的...
包含晶体管漏源级之间的电容和外部并联的电 容;窄带滤波器用来抑制高次谐波。理想状态下,漏 极电压和漏极电流在整个工作周期内相位差为 180。.从而使得晶体管上耗散的功率为零。直流功率 全部转换为射频功率,附加效率可以达到100 。在 设计中,IDM0s晶体管的并联输出电容Ca对实现 ...
如图1所示,是现有RFLDMOS工艺中不同电容密度的MOS电容集成结构示意图;图1中显示了两个MOS电容,分别代表大电容密度和小电容密度的MOS电容,两个MOS电容采用相同的N型重掺杂的硅衬底101,小电容密度的MOS电容的电容介质层由较厚的氧化硅层103组成,氧化硅层103越厚,对应的MOS电容的电容密度越小;大电容密度的MOS电容的...