(4) 试简要分析在半导体界面附近形成累积层、耗尽层以及反型层过程中,MOS电容值的变化趋势(5分) 答:由于外加电压的变化,电容值由取决于氧化膜的厚度变化为取决于氧化膜的厚度及耗尽层的宽度,其变化呈凹谷特性。 A. 形成累积层时,MOS电容只与氧化层厚度有关; B. 形成耗尽层时,MOS电容器可以看成两个电容器...
百度试题 结果1 题目分别绘出工作在堆积、耗尽和反型模式下的n型衬底MOS电容的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析 答:堆积模式: 耗尽模式: 反型模式:反馈 收藏
其中,Cgs是mos管的主要输入电容,反应了栅极信号变化的速度和幅度;Cds和Cgd则主要反应了mos管的输出特性和高频特性。 在mos管的积累状态下,电荷已经堆积在栅极之下,形成一个电场,导致Cgs增大,但Cds和Cgd不受影响。而在反型状态下,栅极上的电场已经足够强,使得沟道中的电子被耗尽,形成一个反型层,导致Cgs减小,同时...
堆积模式下,MOS电容的单位面积电容就是栅氧化层电容,为定值 耗尽模式下,MOS电容为栅氧化层和耗尽层电容串联 总电容随耗尽区宽度增大而减小,当达到阈值反型点时,耗尽区宽度达到最大,此时总电容最小。 反型情况下,如果反型层电荷能跟上电容电压的变化(低频),则总电容就是栅氧化层电容(公式同积累模式) 如果反型...
此时电容 C_{GB} 表示出来的特性是:由两个串联的电容,氧化电容 C_{ox} 和耗尽电容 C_{dep} 组成,因此总电容倒数可表示为 \frac{1}{C_{GB}}=\frac{1}{C_{ox}}+\frac{1}{C_{dep}} ,耗尽电容为耗尽区宽度的函数即 C_{dep}=\frac{\varepsilon_{si}}{x_{d}} 3)反型:大信号 V_{G}...
空穴堆积在氧化层表面,电容器的“两极板”被 t o x t_{ox}tox分离,此时MOS电容可以看作单位面积电容为 C o x C_{ox}Cox的栅氧化层电容;随着 V G S V_{GS}VGS上升,界面空穴密度下降,在氧化层下开始形成耗尽层,器件进入若反型区,此时电容为 C o x C_{ox}Cox与 C d e p C_{...
MOS电容器是金属-氧化物-半导体结构,通常MOSFET(场效应晶体管)用于开关或放大等目的,但通过控制栅极与源极/漏极之间的电压,可以改变氧化层下的感应电荷分布,进而实现对电容的调控。不过,MOSFET本身的寄生电容(栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd)在某些特定应用场合下可以作为可变电容使用。 3. 反型MOS管可变电容...
处于反偏的PN结的耗尽层将展宽。 在实际工作中,经常出现衬底和源极不相连的情况,此时,VBS不等于0。 由基本的pn结理论可知,处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。当衬底与源处于反偏时,衬底中的耗尽区变厚,使得耗尽层中的固定电荷数增加。 由于栅电容两边电荷守衡,所以,在栅上电荷没有改变的情况下,耗尽层电荷的增加...
mos电容强反型状态下为什么耗尽层宽度达到最大值不变 你可以把此时的MOS视为一个电容器,一个极板是栅极,一个极板是沟道区。栅极电压增加,栅电荷增加,沟道区的镜像电荷也要等量增加,此时沟道区的电荷增量来自且仅来自反型层载流子,而不需要耗尽区空间电荷的增量。换句
第二项趋于零,这时C/Co=1出现反型后,产生少子堆积,大量电子聚集半导体表面处,绝缘层两边堆积着电荷-EF段 当信号频率较高时,反型层中电子的产生将跟不上高频信号的变化,即反型层中的电子的数量不能随高频信号而变,因此,高频信号时,反型层中的电子对电容没有贡献-DG段反馈...