(2)试简要分析在半导体界面附近形成累积层、耗尽层以及反型层过程中,MOS电容值 的变化趋势(5分)答:由于外加电压的变化,电容值由取决于氧化膜的厚度变化为取决于氧化膜的厚度及耗尽层的宽度,其变化呈凹谷特性。 A.形成累积层时,MOS电容只与氧化层厚度有关;B.形成耗尽层时,MOS电容器可以看成两个电容器的串联...
第二项趋于零,这时C/Co=1出现反型后,产生少子堆积,大量电子聚集半导体表面处,绝缘层两边堆积着电荷-EF段 当信号频率较高时,反型层中电子的产生将跟不上高频信号的变化,即反型层中的电子的数量不能随高频信号而变,因此,高频信号时,反型层中的电子对电容没有贡献-DG段反馈...
其中,Cgs是mos管的主要输入电容,反应了栅极信号变化的速度和幅度;Cds和Cgd则主要反应了mos管的输出特性和高频特性。 在mos管的积累状态下,电荷已经堆积在栅极之下,形成一个电场,导致Cgs增大,但Cds和Cgd不受影响。而在反型状态下,栅极上的电场已经足够强,使得沟道中的电子被耗尽,形成一个反型层,导致Cgs减小,同时...
堆积模式下,MOS电容的单位面积电容就是栅氧化层电容,为定值 耗尽模式下,MOS电容为栅氧化层和耗尽层电容串联 总电容随耗尽区宽度增大而减小,当达到阈值反型点时,耗尽区宽度达到最大,此时总电容最小。 反型情况下,如果反型层电荷能跟上电容电压的变化(低频),则总电容就是栅氧化层电容(公式同积累模式) 如果反型...
我们前面说了,MOS电容结构是MOSFET的核心,MOS管的大量信息可以从器件的电容-电压特性曲线中得到。我们从电容定义:C=dQ/dV出发来看MOS电容的三个工作状态:堆积,耗尽和反型。 堆积模式:如下图所示为P型衬底MOS管,在栅极加负偏电压下MOS电容的能带图;在氧化层-半导体界面处产生了“空穴”堆积层;电压的变化(dV)将...
空穴堆积在氧化层表面,电容器的“两极板”被 t o x t_{ox}tox分离,此时MOS电容可以看作单位面积电容为 C o x C_{ox}Cox的栅氧化层电容;随着 V G S V_{GS}VGS上升,界面空穴密度下降,在氧化层下开始形成耗尽层,器件进入若反型区,此时电容为 C o x C_{ox}Cox与 C d e p C_{...
百度试题 结果1 题目分别绘出工作在堆积、耗尽和反型模式下的n型衬底MOS电容的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析 答:堆积模式: 耗尽模式: 反型模式:反馈 收藏
MOS电容器中的金属电极为栅极(G),组成电容器的一极,衬底半导体是电容器的另一极,中间的氧化物为绝缘层,该绝缘层一般为二氧化硅,这样就形成了一个MOS电容器。做MOS电容器一极的P型半导体电阻率很高,电子空穴数量有限,当栅极在不同偏置情况下,衬底区可分为三种不同的情况,分别是堆积、耗尽和反型。
MOS电容器是金属-氧化物-半导体结构,通常MOSFET(场效应晶体管)用于开关或放大等目的,但通过控制栅极与源极/漏极之间的电压,可以改变氧化层下的感应电荷分布,进而实现对电容的调控。不过,MOSFET本身的寄生电容(栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd)在某些特定应用场合下可以作为可变电容使用。 3. 反型MOS管可变电容...
注意到进入强反型时的电压 V_{TH} 非常接近但不等于耗尽区达到最大宽度时的电压(进入反型时的电压). 现实情况下的C-V曲线略有不同,这是理想MOS的曲线 C_{ox} 始终为定值 \frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}} ,而 C_{dep} 需要根据不同情况决定, 虽然在大信号下的所有直流分析下电容都视为开路,但...