(2)试简要分析在半导体界面附近形成累积层、耗尽层以及反型层过程中,MOS电容值 的变化趋势(5分)答:由于外加电压的变化,电容值由取决于氧化膜的厚度变化为取决于氧化膜的厚度及耗尽层的宽度,其变化呈凹谷特性。 A.形成累积层时,MOS电容只与氧化层厚度有关;B.形成耗尽层时,MOS电容器可以看成两个电容器的串联...
第二项趋于零,这时C/Co=1出现反型后,产生少子堆积,大量电子聚集半导体表面处,绝缘层两边堆积着电荷-EF段 当信号频率较高时,反型层中电子的产生将跟不上高频信号的变化,即反型层中的电子的数量不能随高频信号而变,因此,高频信号时,反型层中的电子对电容没有贡献-DG段反馈...
其中,Cgs是mos管的主要输入电容,反应了栅极信号变化的速度和幅度;Cds和Cgd则主要反应了mos管的输出特性和高频特性。 在mos管的积累状态下,电荷已经堆积在栅极之下,形成一个电场,导致Cgs增大,但Cds和Cgd不受影响。而在反型状态下,栅极上的电场已经足够强,使得沟道中的电子被耗尽,形成一个反型层,导致Cgs减小,同时...
我们从电容定义:C=dQ/dV出发来看MOS电容的三个工作状态:堆积,耗尽和反型。 堆积模式:如下图所示为P型衬底MOS管,在栅极加负偏电压下MOS电容的能带图;在氧化层-半导体界面处产生了“空穴”堆积层;电压的变化(dV)将会导致堆积电荷(dQ)发生变化,此时电荷密度的变化发生在栅氧化层的边缘,类似平行板电容器,其电容就...
MOS电容器中的金属电极为栅极(G),组成电容器的一极,衬底半导体是电容器的另一极,中间的氧化物为绝缘层,该绝缘层一般为二氧化硅,这样就形成了一个MOS电容器。做MOS电容器一极的P型半导体电阻率很高,电子空穴数量有限,当栅极在不同偏置情况下,衬底区可分为三种不同的情况,分别是堆积、耗尽和反型。
百度试题 结果1 题目分别绘出工作在堆积、耗尽和反型模式下的n型衬底MOS电容的能带图。相关知识点: 试题来源: 解析 答:堆积模式: 耗尽模式: 反型模式:反馈 收藏
MOS电容器是金属-氧化物-半导体结构,通常MOSFET(场效应晶体管)用于开关或放大等目的,但通过控制栅极与源极/漏极之间的电压,可以改变氧化层下的感应电荷分布,进而实现对电容的调控。不过,MOSFET本身的寄生电容(栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd)在某些特定应用场合下可以作为可变电容使用。 3. 反型MOS管可变电容...
反型层作为漏极到源极的导通沟道。栅极电压越大，反型层越厚，栅极增加的电压落在反型层，耗尽层不...
MOS电容的工作状态包括积累区、平带、耗尽区、反型区等。()A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具
处于反偏的PN结的耗尽层将展宽。 在实际工作中,经常出现衬底和源极不相连的情况,此时,VBS不等于0。 由基本的pn结理论可知,处于反偏的pn结的耗尽层将展宽。当衬底与源处于反偏时,衬底中的耗尽区变厚,使得耗尽层中的固定电荷数增加。 由于栅电容两边电荷守衡,所以,在栅上电荷没有改变的情况下,耗尽层电荷的增加...