A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小相关...