电压测试设定值:最大工作电压+1.5倍 脉冲宽度:10 ms 通过等级:通过等级I-A (室温, ±200mA/+1.5倍最大工作电压) 测试温度:室温 测试确认:芯片功能/性能测试 合格判据:测试前后IC工作电流改变量不超过10毫安或者1.4倍(二者相比取大) 1.2 设备与仪器 集成电路抗人体静电测试系统 2. 高温闩锁试验(Latch-up) 2.1试验信息 样品
LU前后要在室温和高温下进行TEST测试。AEC Q100-004 REV-D IC LATCH-UP TEST 在AEC Q100认证的IC器件上进行的所有栓锁测试都应符合最新版本的JEDEC EIA/JESD78规范，并具有以下说明和要求(后面列出的节号对应于JEDEC规范)。执行JEDEC - II等级认证 所有AEC Q100-004认证测试都应在被测器件的最高环境工作温度(J...
IEC 61000-4-2 ESD测试判定等级 结果 合格 合格 不合格 不合格 www.istgroup.com ESD/Latch-Up 2. IC ESD Test *测试对象针对IC, Device *测试时DUT处于非工作状态 * 模拟IC在生产、封装、运输、组装等过程中所受 ESD之影响 各类抗静电(ESD)测试模型: *人體模型(HBM-Humam Body Model) *機器模型(MM-...
ESD, Latch-up测试 讲师:王春亮 Version1:2007年06月06日 www.istgroup.com www.istgroup.com 大纲 1. 电子产品ESD 测试介绍 2. System ESD Test 2.1 Contact Discharge 2.2 Air Discharge 3. IC ESD Test 3.1 HBM-Human Body Model 3.2 MM-Machine Model 3.3 CDM-Charged Device Model 4. Latch-up...
TMUX7234,TI 开关与多路复用器,44-V, latch-up immune, 2:1, four-channel precision multiplexer with 1.8-V logic,完整产品型号:TMUX7234RRQR。
测试运维ESD与latchup测试介绍ESD模型及有关测试 1、ESD模型分类 2、HBM和MM测试方法标准 3、 CDM模型和测试方法标准 4、拴锁测试 5、 I-V测试 6、标准介绍 1、ESD模型分类 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同, 经过统计,ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2...
ESD与latchup测试介绍解读 ESD模型及有关测试 1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、I-V测试6、标准介绍 1、ESD模型分类 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同，经过统计，ESD放电模型分下列四类:(1)人体放电模式(Human-BodyModel,HBM)(2)机器放电模式(Machine...
HBM测试是集成电路静电放电抗干扰能力的一项重要测试指标,它通过对集成电路引脚施加不同的静电电压脉冲,来测试集成电路对静电放电的承受能力。HBM指标是以电压等级和脉冲波形来定义的,常见的HBM等级包括:1.5kV、2kV、4kV等,而脉冲波形包括:100ns、200ns等。 二、Latchup指标的定义和测试方法 Latchup是指集成电路在...
latchup闩锁效应及解决方法 在集成电路设计中,寄生PNPN结构形成可控硅效应是常见现象。当外界干扰引发寄生晶体管导通时,会在电源与地之间形成低阻通路,这种现象会导致芯片功能异常甚至永久损坏。某次流片测试中,某款40nm工艺芯片在3.6V工作电压下出现异常电流激增,经失效分析确认是过压触发寄生双极晶体管所致。 闩锁效应...
此机器放电模式工业测试标准为EIAJ-IC-121method20，其等效电路图和等级如下：机器放电模式(MachineModel,MM)2-KVHBM与200-VMM的放电比较如图，虽然HBM的电压2KV比MM的电压200V来得大，但是200-VMM的放电电流却比2-KVHBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的...