Latch-up是指在CMOS电路中,电源(VDD)和地(GND)之间由于寄生的PNP和NPN的相互影响(SCR结构),而产生的低阻抗通路,使VDD和GND之间产生大电流。 注:SCR:Silicon Controlled Rectifier是可控硅整流器,在外部控制信号作用下,由关断变为导通,一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。 0...
HBM指标是以电压等级和脉冲波形来定义的,常见的HBM等级包括:1.5kV、2kV、4kV等,而脉冲波形包括:100ns、200ns等。 二、Latchup指标的定义和测试方法 Latchup是指集成电路在工作过程中由于外部干扰或内部原因产生的永久性失控,导致集成电路无法正常工作的现象。Latchup测试是用来评估集成电路在不同工作条件下对于外部...
a:如果R>=200ohm时,此时出现latch up风险低,此时将"RES200层"手动覆盖住电阻区域(RPDMY),电阻后面的器件将被视为:Internal circuit部分; b:如果R<=50ohm时,此时出现latch up风险高,此时电阻后面的器件将被视为:OD injector部分; c:如果50ohm<R<200ohm时,此时依设计决定是否将电阻后的器件视为Internal circu...
l 此机器放电模式工业测试标准为 EIAJ-IC-121 method20,其等效电路图和等级如下:机器放电模式 (Machine Model, MM)l 2-KV HBM与200-V MM的放电比较如图,虽然HBM的电压2 KV比MM的电压200V来得大,但是200-V MM的放电电流却比2-KV HBM的放电电流来得大很多,放电电流波形有上下振动(Ring)的情形,是因为测试...
ESD,Latch-up测试 介绍
1. Latch up 规则检查前的一些概念名称和解释 1.1 PAD主要分为两大类: 信号PAD,常见简称:IO PAD 电源地PAD,常见简称:VDD PAD和VSS PAD 1.2 内部电路(Internal circuit)(见图1) 指不和IO PAD直接相连的器件;包括NMOS、PMOS、Capacitors、varactor;
功率集成电路(Power Integrated Circuits, PIC)在设计时同样需要考虑防止Latch-up现象,因为这种现象能导致电路在正常工作电压下形成低阻抗通路,从而产生失控的大电流,可能损坏芯片。针对Latch-up的防护措施主要集中在减少寄生双极性晶体管(BJT)的正反馈效应,确保电路的稳定性。
Latch-up保护通常采用电压限制器、电流限制器、反向二极管等方式实现。Latch-up保护装置的设计需要考虑器件的工作电压和电流,以及Latch-up保护装置的响应时间和保护等级等因素。 三、过载Latch-up保护的应用 过载保护和Latch-up保护是电子设备中常见的保护机制,它们可...
闩锁测试(Latch-up) 面板驱动芯片RA老化服务 芯片超高功耗老化寿命试验 芯片产品寿命预估 芯片可靠性硬件设计服务 汽车芯片电子可靠性试验 芯片封装可靠性环境试验 芯片老化寿命试验 阻燃防火检测 玩具其他国家检测(智利、日本、墨西哥、马来西亚) 文具及文教产品检测 甲状腺癌个性化用药解决方案 子宫内膜...
ESD,Latch-up测试 介绍