18.A118AMar2011现行加速水汽抵抗性——无偏压HAST(无偏置电压未饱和高压蒸汽) 19.A119Nov2004现行低温贮存寿命 20.A120AJan2008现行集成电路的有机材料的水汽扩散率以及水溶解度试验方法 21.A121AJul2008现行锡及锡合金表面镀层晶须生长的测试方法 22.A122Aug2007现行功率循环 ...
JESD22标准 Name Name Abbreviatio A100循环温湿度偏置寿CycledTemperature-Humidity-Bias 命 LifeTest A101稳态温湿度偏置寿命 STEADY-STATETEMPERATURE-HUMIDITYBIAS LIFETEST THB A102加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮 ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-UNBIASED AUTOCLAVE A103高温贮存寿命 HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE HTSL A104温度...
A104 D Mar 2009 现行 温度循环 6. A105 C Jan 2004 现行 上电温循 7. A106 B Jun 2004 现行 热冲击 8. A107 C Apr 2013 现行 盐雾 9. A108 D Nov 2010 现行 温度,偏置电压,以及工作寿命 10. A109 B Nov 2011 现行,指向军标 密封 11. A110 D Nov 2010 现行 高加速温湿度应力试验(HAST)(有...
Test Method A104C (Revision of Test Method A104-B) JEDEC Standard No. 22-A104C Page 4 4 Procedure Sample(s) shall be placed in such a position with respect to the air stream such that there is substantially no obstruction to the flow of air across and around each sample(s). When ...
5 JESD22-A104 F Nov 2020 现行 温度循环 6 JESD22-A105 D Jan 2020 现行 上电温循 7 JESD22-A106 B.01 Nov 2016 现行 热冲击 8 JESD22-A107 C Apr 2013 现行 盐雾 9 JESD22-A108 F Jul 2017 现行 温度,偏置电压,以及工作寿命 10 JESD22-A109 B Nov 2011 现行,指向军标 密封 ...
1、顺序2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.20.21.22.详细如下标准编号A100A101A102A103A104A105A106A107A108A109A110A111A112A113A114A115A117A118A119A120A121A122简称THBACHTSLTCPTCHTOLHASTPCJESD22 标准定义及意义现行版本标准状态标准项目D Jul 2013C Mar 2009D Nov 2010D Dec 2010D Mar 2009C...
JEDECSTANDARDTem perat ure Cycl i ngJESD22- A104- B( Revi s i on of JESD22- A104- A)JULY 2000JEDEC SOLI D STATE TECHNOLOGY ASSOCI ATI ON
22. 详细如下标准编号 A100 A101 A102 A103 A104 A105 A106 A107 A108 A109 A110 A111 A112 A113 A114 A115 A117 A118 A119 A120 A121 A122 简称 THB AC HTSL TC PTC HTOL HAST PC JESD22 标准定义及意义现行版本标准状态标准项目 D Jul 2013 C Mar 2009 D Nov 2010 D Dec 2010 D Mar 2009 C ...
A104 TC D Mar 2009 现行 温度循环 本实验用来确定组件、互联器件对交替温度极限变化产生的机械应力的耐受性 6. A105 PTC C Jan 2004 现行 上电温循 适用于半导体器件,在交替的高低温极限中周期的施加卸除偏压,用于模拟样件所遭受的最恶劣环境 7. A106 B Jun 2004 现行 热冲击 8. A107 C Apr 2013 现行 盐...
3.2TC(Temperaturecycle)---温度循环,标准JESD22-A104 从低温到高温循环,温度变化较慢,衡量芯片承受冷热冲击的能力。一般为-45°C~125°C,1000循环;也有些客户要求-60°C~125°C,500循环。 3.3TS(Temperatureshock)-温度冲击,标准为JESD22-A106 快速从低温到高温,检验芯片的抗温度冲击能力。一般要求-45°C~125...