IRFB3607PBF是一款N沟道功率MOSFET，其主要应用领域如下：1、直流电动机驱动：由于其高电流和低导通电阻的特性，IRFB3607PBF非常适合用于直流电动机的控制和驱动 。2、电池管理系统：在电池供电的应用中，该MOSFET可以用于充放电过程的控制和管理 。3、逆变器：IRFB3607PBF可用于逆变器设计，提供必要的开关功能，以实现A...
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IRFB3607PBF IRFR3607TRPBF 描述 INFINEON AUIRFS3607 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 7340 µohm, 10 V, 2 V AUIRFS3607 更多代替型号 INFINEON IRFB3607PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 10 V, 4 V
全国服务热线:13534146615 首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管IRFB3607参数 PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:46AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导...
IRFb3607场效应管的主要参数包括: VDSS(正向导通阈值电压):默认9V。 ID(封装功耗):默认31.8A。 RDSon(正向导通电阻):默认120 mM/12V。 VDSM(正向关断峰值电压):9V。 IDSM(正向关断漏电流):0.11A。 Qg(关断损耗):18.1 nC。 最大工作温度:175℃。 特殊功能参数:如Qrr(飞行充电损耗)1.82 nC,Ciss(动态输入电...
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