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**AUIRFB3306-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,封装为TO220。它采用先进的沟槽技术,设计用于高电流和高电压应用,具备出色的导电性和热稳定性。该MOSFET的漏源电压为60V,栅源电压为±20V,阈值电压为3V。AUIRFB3306-VB 的导通电阻在不同栅源电压下分别为9mΩ(VGS=4.5V)和3mΩ(VGS=10V),并且其漏极电流可达到...
查看详情 原装FP10R12W1T4 开关电源 功率MOSFET 连接器 压接 直插 ￥1.64 查看详情 原装TLE4961-1K磁性位置传感器 通用 电子材料 电子元器件 ￥1.59 查看详情 异步 存储器 集成电路 IR2233S 栅极驱动器 高端 电源管理 收发器 ￥0.65 查看详情 原装S29GL01GT12DHVV10Flash 通用 电子材料 电子元器件 ￥1.59 ...
INFINEON IRFB3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 V查看详情 TO-220-3 25周 在产 2000年 ¥2.599 数据手册(31) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (8) 反馈错误 by FindIC.com IRFB3306PBF 全球供应商 全球供应商 ...
IRFB3306GPBF 丝印FB3306G TO-220 MOS场效应管 IC 原装正品 深圳市鸿博创电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.40 IRFB3306G场效应三极管IRFB3306GPBF N沟道60V/160A现货 深圳市东柏森电子有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 ...
IRFB3306PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET,增强栅极,雪崩,动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流,用于SMPS,硬开关和高频电路。 完全表征电容值与雪崩SOA 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能 应用 电源管理,工业 IRFB3306PBF中文参数 通道类型N晶体管配置单 ...
ParametricsIRFB3306 Budgetary Price €/1k0.6 ID(@25°C)max160 A MountingTHT Operating Temperatureminmax-55 °C 175 °C Ptotmax230 W PackageTO-220 PolarityN QG(typ @10V)85 nC Qgd26 nC RDS (on)(@10V)max4.2 mΩ RthJCmax0.65 K/W ...