IRFB3306PBF是一款HEXFET®单N沟道功率MOSFET,增强栅极,雪崩,动态dV/dt耐用性能。适用于高效同步整流,用于SMPS,硬开关和高频电路。 完全表征电容值与雪崩SOA 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能 应用 电源管理,工业 IRFB3306PBF中文参数 通道类型N晶体管配置单 ...
IRFB3306PBF Infineon (英飞凌) MOS管 INFINEON IRFB3306PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 4.2 mohm, 10 V, 4 V查看详情 TO-220-3 25周 在产 2000年 ¥2.592 数据手册(31) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (8) 反馈错误 by FindIC.com...
IRFB3306PBF 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrscorestaffarrowverical 等渠道进行代购。 IRFB3306PBF 价格参考￥ 5.8368 。 Infineon IRFB3306PBF 封装/规格: TO220AB, MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=160A TO220AB。你可以下载 IRFB3306PBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...
全新 请咨询IRFB3206PBF IRFB3207PBFIRFB3306PBFIRFB3307ZPBF 深圳市唯升世纪科技有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥3.00 IRFB3306PBF封装TO220 N沟道MOS管场效应管 60V 120A提供BOM配单 深圳市品瑞芯科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 ...
IRFB3306PBF中文资料
品牌: INFINEON/IR 型号: IRFB3306PBF 封装: TO-220AB 批号: 19+ 数量: 2000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8V 长度: 3.8mm 宽度: 4.2mm 高度: 2.5mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
部件名IRFB3306PBF 下载IRFB3306PBF下载 文件大小433.13 Kbytes 页11 Pages 制造商IRF [International Rectifier] 网页http://www.irf.com 标志 功能描述HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS Benefits ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号IRFB3306PBF-VB 商品编号C7463535 商品封装TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.784克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 210A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) 37...
IRFB3306PBF 由Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrscorestaffarrowverical 等渠道进行代购。 IRFB3306PBF 价格参考￥ 5.076 。 Infineon IRFB3306PBF 封装/规格: TO220AB, MOSFETs N-Channel VDS=60V ID=160A TO220AB。你可以下载 IRFB3306PBF 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说...
2025年飞虹半导体首发新品FHP160N06V型号MOS管,正是拥有上述特点,而且还拥有极低导通电阻,让其可以无缝代换HY3606P、IRFB3306PbF型号场效应管。 FHP160N06V作为N沟道增强型场效应晶体管,它采用先进的trench技术,在降低了导通损耗的同时,还提高了雪崩能量和开关性能。