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型号: IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon 英飞凌 封装: SOP/DIP 批号: 2021 数量: 1000000 产地: 广东 参数名: 参数值 说明: 大括号中填写参数名,例如产地,中括号中填写参数值,例如广东,上限50组 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所...
型号 IPD30N10S3L34ATMA1 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IPD30N10S3L34ATMA1 封装: PG-TO252-3 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: PG-TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100...
型号:IPD30N10S3L34ATMA1 商品编号:DS0187882 封装规格:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 商品描述:MOSFET N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T EDA模型 查看详情 原理图符号 封装 商品详情 EDA模型 技术文档 产品种类 MOSFET 商标 Infineon Technologies ...
N沟道,100V,30A,31mΩ@10V 品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 IPD30N10S3L34ATMA1 商品编号 C148263 商品封装 TO-252(DPAK) 包装方式 编带 商品毛重 0.481克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 ...
IPD30N10S3L34ATMA1 单N-沟道 100 V 57 W 31 nC 硅 表面贴装 Mosfet - PG-TO-252-3 IPD30N10S3L34ATMA1 数据手册 ECAD模型: 制造商: Infineon 标准包装: Product Variant Information section 2500/卷盘 Date Code: 2425 Product Specification Section Infineon IPD30N10S3L34ATMA1 - 产品规格 ...
制造商型号: IPD30N10S3L34ATMA1 制造商: INFINEON (英飞凌) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多IPD30N10S3L34ATMA1价格...
起订数 10个起批 50个起批 100个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IPD30N10S3L34ATMA1 商品图片 商品参数 品牌: Infineon 批号: 22+ 封装: PG-TO252-3 QQ: 2881730449 数量: 4957 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格...
IPD30N10S3L34ATMA1 电子元器件 New PDF 数据手册 规格书 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形...
唯样编号 D-IPD30N10S3L34ATMA1 A-IRFR4105PBF 制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies 供应商 海外代购D 唯样自营 分类 功率MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Single N-Channel 55 V 68 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA 数据表 Infineon-IPD...